[发明专利]图形优化方法及掩膜版的制备方法

说明书

本发明揭示了一种图形优化方法，本发明提供的图形优化方法中，所述图形优化方法包括：提供待优化图形，包括第一图形和第二图形，所述第一图形的可调整性小于所述第二图形的可调整性；以所述第二图形为基准，为所述第一图形添加第一散射条；以及以所述第一图形和所述第一散射条为基准，为所述第二图形添加第二散射条。由此，改变了添加散射条时的基准，使得可调整性小的第一图形优先添加散射条，如此使得添加的散射条能够更好的发挥作用，有效改善图形密度，进而采用该方法制备的掩膜版，可以提高图形分辨率，确保较佳的质量。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种图形优化方法及掩膜版的制备方法。

背景技术

光刻技术是半导体制造加工过程中的关键技术。降低集成电路的线宽在很大程度上依赖于光刻精度的提高，以决定是否可以制作出更为精密的图形。

在光刻工艺进入深亚微米甚至更精密的尺寸的情况下，在将图形从掩膜版上转移至衬底上时，在图形相对稀疏的部分区域，会受到光的衍射等现象的影响而不利于正确成像，例如，会使得成像变小。显然的，这种变小的成像是不希望产生的。

基于此，业界引入散射条(scattering bar，SB)，利用散射条可以对光进行散射，进而改善甚至消除衍射现象，改变光强分布，提高图形的分辨率。

但是，随着光刻工艺精密度的不断提高，散射条与周边图形的关系需求愈发苛刻，例如为了追求相邻图形之间散射条符合设计规则，反而会使得图形与散射条之间的间距变大，从而使得图形曝光后质量变差。

发明内容

本发明的目的在于提供一种图形优化方法及掩膜版的制备方法，优化散射条的功能，提高曝光后的图形分辨率。

为解决上述技术问题，本发明提供一种图形优化方法，包括：

提供待优化图形，所述待优化图形包括第一图形和第二图形，所述第一图形的可调整性小于所述第二图形的可调整性；

以所述第二图形为基准，为所述第一图形添加第一散射条；以及

以所述第一图形和所述第一散射条为基准，为所述第二图形添加第二散射条。

可选的，对于所述的图形优化方法，为所述第二图形添加第二散射条之后，所述图形优化方法还包括：

调整所述第二图形的大小。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第二图形为矩形。

可选的，对于所述的图形优化方法，调整所述第二图形的大小为使得所述矩形的至少一个边增大1-10nm。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第一图形为矩形。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第一图形和第二图形的宽度皆大于曝光光源的最小成像尺寸。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第一图形和第二图形之间间距相对较大处相比所述第一图形和第二图形之间间距相对较小处，所述第一散射条的长度较大或更密集。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第一散射条的长度方向平行或垂直于所述第一图形和第二图形的排布方向。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第二图形周边空间相对较大处相比所述第二图形周边空间相对较小处，所述第二散射条的长度较大或更密集。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第二散射条的长度方向平行或垂直于所述第一图形和第二图形的排布方向。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第一图形为静态存储区边界图形。

可选的，对于所述的图形优化方法，所述第二图形为相邻于所述第一图形的逻辑区图形。