[发明专利]用于抑制第一读取问题的字线的顺序取消选择有效
| 申请号： | 201810105705.8 | 申请日： | 2018-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN108428466B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 光平规之;赖军宏 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16;G11C16/26;G11C16/34;G11C16/10;G11C16/04;G11C16/30;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了一种用于减少NAND串内的捕获的电子的系统和方法。在感测操作期间，一个或多个控制电路可以以从最接近于NAND串的第一端的连续的存储器单元晶体管的第一集开始，并且以最接近于NAND串的第二端的连续的存储器单元晶体管的第二集结束的顺序，使与NAND串的连续的存储器单元晶体管对应的控制栅极从读取通过电压(例如，10V)到小于通过电压(例如，2V)的第二电压放电或发起其放电。后续地，一个或多个控制电路可以或者并发地或同时地使与连续的存储器单元晶体管对应的控制栅极从第二电压放电到小于中间电压的第三电压(例如，从2V到0V)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抑制 第一 读取 问题 顺序 取消 选择 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：NAND串，所述NAND串包含布置在所述NAND串的第一端与所述NAND串的第二端之间的选择的存储器单元晶体管和连续的存储器单元晶体管的集，所述选择的存储器单元晶体管和所述连续的存储器单元晶体管的集包括所述NAND串内的用户可存取存储器单元晶体管；以及控制电路，所述控制电路配置为以从最接近于所述NAND串的第一端的所述连续的存储器单元晶体管的集中的第一集开始，并且以最接近于所述NAND串的第二端的所述连续的存储器单元晶体管的集中的第二集结束的顺序，发起从通过电压到小于所述通过电压的第二电压的与所述连续的存储器单元晶体管的集中的每个集对应的控制栅极的放电。
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