[发明专利]用于抑制第一读取问题的字线的顺序取消选择

权利要求书

1.一种存储器设备，包括：

NAND串，所述NAND串包含布置在所述NAND串的第一端与所述NAND串的第二端之间的选择的存储器单元晶体管和连续的存储器单元晶体管的集，所述选择的存储器单元晶体管和所述连续的存储器单元晶体管的集包括所述NAND串内的用户可存取存储器单元晶体管；以及

控制电路，所述控制电路配置为以从最接近于所述NAND串的第一端的所述连续的存储器单元晶体管的集中的第一集开始，并且以最接近于所述NAND串的第二端的所述连续的存储器单元晶体管的集中的第二集结束的顺序，发起从通过电压到小于所述通过电压的第二电压的与所述连续的存储器单元晶体管的集中的每个集对应的控制栅极的放电。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述NAND串的第一端包括所述NAND串的漏极侧端，并且所述NAND串的第二端包括所述NAND串的源极侧端；并且

所述连续的存储器单元晶体管的集包括所述NAND串内的全部用户可存取存储器单元晶体管。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述控制电路配置为，在将所述通过电压施加到所述连续的存储器单元晶体管的第一集和所述连续的存储器单元晶体管的第二集时，将小于所述通过电压的读取电压施加到所述连续的存储器单元晶体管的第一集与所述连续的存储器单元晶体管的第二集之间布置的所述选择的存储器单元晶体管的控制栅极。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

施加到所述连续的存储器单元晶体管的第一集的所述通过电压将所述连续的存储器单元晶体管的第一集的每个存储器单元晶体管设定为导电状态。

5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述控制电路配置为，在将所述通过电压施加到所述连续的存储器单元晶体管的第一集和所述连续的存储器单元晶体管的第二集时，将感测电压施加到所述选择的存储器单元晶体管的控制栅极。

6.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述控制电路配置为，使与所述连续的存储器单元晶体管的第一集对应的控制栅极在第一时间周期期间从所述通过电压放电到所述第二电压，并且使与所述连续的存储器单元晶体管的第二集对应的控制栅极在所述第一时间周期之后的第二时间周期期间从所述通过电压放电到所述第二电压。

7.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述第二电压包括0V或2V中的一个。

8.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述NAND串包含漏极侧选择栅极，并且所述连续的存储器单元晶体管的第一集位于与所述漏极侧选择栅极相邻。

9.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述NAND串包括垂直NAND串。

10.根据权利要求1所述的存储器设备，其中：

所述NAND串是在一个或多个物理级的存储器单元中单片地形成的非易失性存储器的一部分，所述存储器单元具有设置在硅衬底之上的有源区域。