[发明专利]薄膜太阳能电池组件的制备方法在审
申请号: | 201810102469.4 | 申请日: | 2018-02-01 |
公开(公告)号: | CN108447919A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 赵树利;郭逦达;李新连;陈涛;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 刘诚 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜太阳能电池组件的制备方法,其包括以下步骤:a)在背电极层进行第一刻划而形成第一凹槽;b)提供一掩模,并通过所述掩模于所述第一凹槽内形成绝缘部;c)在背电极层的表面依次形成光吸收层及缓冲层,并对所述光吸收层及缓冲层进行第二刻划;d)在缓冲层的表面形成上电极层并对所述上电极层、缓冲层、及光吸收层进行第三刻划。由于在第一刻划所形成的第一凹槽内设置绝缘部,从而可使第二刻划的位置与第一刻划的位置的间距减小,因此死区的面积可大大减少,所述薄膜太阳能电池组件的转换效率大大提高。 | ||
搜索关键词: | 刻划 缓冲层 薄膜太阳能电池组件 光吸收层 背电极层 电极层 绝缘部 掩模 制备 表面形成 间距减小 转换效率 死区 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜太阳能电池组件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a)提供一基底,并在所述基底上形成一背电极层,以及对所述背电极层进行第一刻划而在所述背电极层形成多个贯穿所述背电极层的第一凹槽;b)于所述第一凹槽内形成绝缘部;c)在形成有绝缘部的背电极层的表面依次形成光吸收层及缓冲层,并对所述光吸收层及缓冲层进行第二刻划而形成贯穿所述光吸收层及缓冲层的第二凹槽;以及d)在缓冲层的表面形成上电极层,而使所述上电极层延伸至第二凹槽,并对所述上电极层、缓冲层、及光吸收层进行第三刻划而形成贯穿所述上电极层、缓冲层、及光吸收层的第三凹槽,而得到多个串联的电池单元。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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