[发明专利]薄膜太阳能电池组件的制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

a)提供一基底，并在所述基底上形成一背电极层，以及对所述背电极层进行第一刻划而在所述背电极层形成多个贯穿所述背电极层的第一凹槽；

b)于所述第一凹槽内形成绝缘部；

c)在形成有绝缘部的背电极层的表面依次形成光吸收层及缓冲层，并对所述光吸收层及缓冲层进行第二刻划而形成贯穿所述光吸收层及缓冲层的第二凹槽；以及

d)在缓冲层的表面形成上电极层，而使所述上电极层延伸至第二凹槽，并对所述上电极层、缓冲层、及光吸收层进行第三刻划而形成贯穿所述上电极层、缓冲层、及光吸收层的第三凹槽，而得到多个串联的电池单元。

2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，步骤b)中于所述第一凹槽内形成绝缘部的过程具体为：提供一掩模，并通过所述掩模于所述第一凹槽内形成绝缘部。

3.如权利要求2所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述绝缘部的形成方法为磁控溅射法、旋涂法、喷涂法和化学气相沉积中的任意一种。

4.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述绝缘部的材料为Si₃N₄、AlN、SiO₂、Al₂O₃中的至少一种。

5.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述第二凹槽的底部位于所述绝缘部与相邻的电池单元的背电极层的交界处，位于所述第二凹槽内的上电极层覆盖部分绝缘部以及相邻的电池单元的部分的背电极层。

6.如权利要求5所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述绝缘部的宽度用m表示，所述绝缘部通过所述第二凹槽而部分暴露的区域的宽度用d1表示，m及d1满足以下条件：m＞d1＞0。

7.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，在所述背电极层与光吸收层之间、光吸收层与缓冲层之间、或缓冲层与上电极层之间设置至少一氧化锌层。

8.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述第二凹槽及第三凹槽的宽度为50μm～80μm。

9.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述绝缘部的厚度大于等于所述背电极层的厚度。

10.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池组件的制备方法，其特征在于，所述光吸收层的材料为铜铟镓硒、铜铟硒、铜铟镓硫中的任意一种。