[发明专利]薄膜太阳能电池组件的制备方法在审
申请号: | 201810102469.4 | 申请日: | 2018-02-01 |
公开(公告)号: | CN108447919A | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 赵树利;郭逦达;李新连;陈涛;杨立红 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 刘诚 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刻划 缓冲层 薄膜太阳能电池组件 光吸收层 背电极层 电极层 绝缘部 掩模 制备 表面形成 间距减小 转换效率 死区 | ||
本发明提供一种薄膜太阳能电池组件的制备方法,其包括以下步骤:a)在背电极层进行第一刻划而形成第一凹槽;b)提供一掩模,并通过所述掩模于所述第一凹槽内形成绝缘部;c)在背电极层的表面依次形成光吸收层及缓冲层,并对所述光吸收层及缓冲层进行第二刻划;d)在缓冲层的表面形成上电极层并对所述上电极层、缓冲层、及光吸收层进行第三刻划。由于在第一刻划所形成的第一凹槽内设置绝缘部,从而可使第二刻划的位置与第一刻划的位置的间距减小,因此死区的面积可大大减少,所述薄膜太阳能电池组件的转换效率大大提高。
技术领域
本发明涉及一种薄膜太阳能电池组件的制备方法。
背景技术
太阳能薄膜电池又称为“太阳能芯片”或“光电池”,是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄膜。
薄膜太阳能电池组件的制备过程具体为:利用至少3次激光/机械刻划工艺 (根据刻划的时间顺序,命名为P1刻划、P2刻划、P3刻划),将整片薄膜太阳能电池划分成多个电池单元,并且实现电池单元之间的串联或并联。该工艺设计可保证薄膜太阳能电池组件以合适的电压和电流方式进行输出,实现薄膜太阳能电池组件的实际应用。
P1、P2、及P3刻划工艺虽然可形成多个串联/并联的电池单元,但会在薄膜太阳能电池组件上产生不能进行光电转换的区域(P1~P3刻划线的位置和 P1~P3刻划线的间隔区域),即薄膜太阳能电池组件中所谓的“死区”(如附图1 所示)。
而P1、P2、P3刻划过程是通过激光或者机械刻划实现的,受限于现有刻划工艺技术水平和成本控制因素,P1~P3刻划线的宽度和精度难以得到显著改善,造成死区面积无法得到有效减少,最终影响薄膜太阳能电池组件的光转换效率。
发明内容
针对上述问题,本发明提供一种薄膜太阳能电池组件的制备方法,该薄膜太阳能电池组件中第一刻划线(即P1刻划)所在的位置设置绝缘部,即多个电池单元中的背电极层通过绝缘部而间隔设置,从而可在绝缘部的部分表面上进行第二刻划(即P2刻划),进而可减少死区的面积。
本发明提供一种薄膜太阳能电池组件的制备方法,其包括以下步骤:
a)提供一基底,并在所述基底上形成一背电极层,以及对所述背电极层进行第一刻划而在所述背电极层形成多个贯穿所述背电极层的第一凹槽;
b)于所述第一凹槽内形成绝缘部;
c)在形成有绝缘部的背电极层的表面依次形成光吸收层及缓冲层,并对所述光吸收层及缓冲层进行第二刻划而形成贯穿所述光吸收层及缓冲层的第二凹槽;以及
d)在缓冲层的表面形成上电极层,而使所述上电极层延伸至第二凹槽,并对所述上电极层、缓冲层、及光吸收层进行第三刻划而形成贯穿所述上电极层、缓冲层、及光吸收层的第三凹槽,而得到多个串联的电池单元。
所述薄膜太阳能电池组件的制备方法具有以下优点:
由于在第一刻划所形成的第一凹槽内设置绝缘部,即多个电池单元中的背电极层通过绝缘部而间隔设置,从而可在绝缘部的部分表面的上方进行第二刻划。第二刻划形成第二凹槽,所述绝缘部可通过所述第二凹槽而部分暴露,第二刻划的位置与第一刻划的位置的间距减小,因此,使得死区的面积大大减少,从而所述薄膜太阳能电池组件的转换效率大大提高。
该制备方法中,通过掩模在第一凹槽内形成绝缘部,该方法具有工艺简单、高效可控的优点。
附图说明
图1为本发明所述薄膜太阳能电池组件的结构示意图;
图2为本发明所述薄膜太阳能电池组件的制备工艺的示意图。
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