[发明专利]晶片的加工方法在审
申请号: | 201810088666.5 | 申请日: | 2018-01-30 |
公开(公告)号: | CN110098148A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | C·米哈伊 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 于靖帅;乔婉 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供晶片的加工方法,能够抑制缺损的产生,同时能够在短时间内对晶片进行分割。该晶片的加工方法沿着设定于晶片(11)的多条分割预定线(13)对晶片进行分割,该晶片的加工方法包含如下的步骤:载置步骤,将在一个面(11a)上粘贴有带(21)并且在晶片的内部的与分割预定线对应的位置形成有作为分割起点的改质层(17)的晶片隔着带载置于加热工作台(12);以及分割步骤,在通过加热工作台对载置于加热工作台的晶片进行了加热之后,利用冷却单元(22)对晶片的露出的另一个面(11b)的整体进行冷却,以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割,在分割步骤中,通过根据加热与冷却的温度差而产生的热冲击使晶片断裂。 | ||
搜索关键词: | 晶片 分割预定线 加热工作台 分割 改质层 加工 加热 冷却 分割起点 晶片断裂 冷却单元 热冲击 温度差 缺损 带载 载置 粘贴 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,沿着设定于晶片的多条分割预定线对晶片进行分割,其特征在于,该晶片的加工方法包含如下的步骤:载置步骤,将在一个面上粘贴有带并且在晶片的内部的与该分割预定线对应的位置形成有作为分割起点的改质层的晶片隔着该带载置于加热工作台;以及分割步骤,在通过该加热工作台对载置于该加热工作台的晶片进行了加热之后,利用冷却单元对晶片的露出的另一个面的整体进行冷却,以该改质层为起点沿着该分割预定线对晶片进行分割,在该分割步骤中,通过根据该加热与该冷却的温度差而产生的热冲击使晶片断裂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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