[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，能够抑制缺损的产生，同时能够在短时间内对晶片进行分割。该晶片的加工方法沿着设定于晶片(11)的多条分割预定线(13)对晶片进行分割，该晶片的加工方法包含如下的步骤：载置步骤，将在一个面(11a)上粘贴有带(21)并且在晶片的内部的与分割预定线对应的位置形成有作为分割起点的改质层(17)的晶片隔着带载置于加热工作台(12)；以及分割步骤，在通过加热工作台对载置于加热工作台的晶片进行了加热之后，利用冷却单元(22)对晶片的露出的另一个面(11b)的整体进行冷却，以改质层为起点沿着分割预定线对晶片进行分割，在分割步骤中，通过根据加热与冷却的温度差而产生的热冲击使晶片断裂。

技术领域

本发明涉及在沿着分割预定线对晶片进行分割时所应用的晶片的加工方法。

背景技术

在以移动电话机、个人计算机为代表的电子设备中，具有电子电路等器件的器件芯片成为必须的结构要素。器件芯片例如能够如下进行制造：对由硅或砷化镓等半导体材料形成的晶片的正面利用多条分割预定线(间隔道)进行划分并在各区域中形成器件之后，沿着该分割预定线对晶片进行分割，由此制造器件芯片。

作为对晶片进行分割的方法之一，公知有使透过性的激光束会聚在晶片的内部而利用多光子吸收形成改质层(改质区域)的方法(SD：Stealth Dicing，隐形切割)(例如，参照专利文献1)。在沿着分割预定线形成了改质层之后，例如使用刀具状的部件等施加力学性压力，从而以改质层为起点将晶片分割成多个器件芯片(例如，参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2002-192370号公报

专利文献2：日本特开2016-40810号公报

但是，上述那样的晶片通常较脆，因此在施加力学性压力的方法中，器件芯片的边缘等容易缺损。另外，由于需要对所有的分割预定线施加压力，因而当器件芯片的尺寸变小时(例如，纵1mm×横1mm等)，分割所需的时间也会变长。

发明内容

本发明是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供一种晶片的加工方法，能够抑制缺损的产生，同时能够在短时间内对晶片进行分割。

根据本发明的一个方式，提供晶片的加工方法，沿着设定于晶片的多条分割预定线对晶片进行分割，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：载置步骤，将在一个面上粘贴有带并且在晶片的内部的与该分割预定线对应的位置形成有作为分割起点的改质层的晶片隔着该带载置于加热工作台；以及分割步骤，在通过该加热工作台对载置于该加热工作台的晶片进行了加热之后，利用冷却单元对晶片的露出的另一个面的整体进行冷却，以该改质层为起点沿着该分割预定线对晶片进行分割，在该分割步骤中，通过根据该加热与该冷却的温度差而产生的热冲击使晶片断裂。

在本发明的一个方式中，该冷却单元可以对晶片的该另一个面的整体喷射冷却用的流体。另外，该冷却单元可以具有与晶片的该另一个面的整体接触的接触面，利用珀尔帖效应对该接触面进行冷却。

在本发明的一个方式的晶片的加工方法中，利用根据加热与冷却的温度差而产生的热冲击(thermal shock)对晶片进行分割，因此无需对晶片施加力学性力。由此，能够防止由于力学性力而导致的晶片的缺损。另外，利用作用于整个晶片的热冲击，因此能够在短时间内沿着所有的分割预定线对晶片进行分割。

附图说明

图1的(A)是示意性示出晶片的结构例的立体图，图1的(B)是示意性示出支承于环状的框架的状态的晶片的立体图。

图2的(A)是示意性示出改质层形成步骤的局部剖视侧视图，图2的(B)是示意性示出载置步骤和分割步骤的局部剖视侧视图，图2的(C)是示意性示出晶片发生了断裂的状态的局部剖视侧视图。

图3的(A)是示意性示出变形例的分割步骤的局部剖视侧视图，图3的(B)是示意性示出晶片发生了断裂的状态的局部剖视侧视图。