[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201810088666.5 申请日: 2018-01-30
公开(公告)号: CN110098148A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: C·米哈伊 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 于靖帅;乔婉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶片 分割预定线 加热工作台 分割 改质层 加工 加热 冷却 分割起点 晶片断裂 冷却单元 热冲击 温度差 缺损 带载 载置 粘贴
【权利要求书】:

1.一种晶片的加工方法,沿着设定于晶片的多条分割预定线对晶片进行分割,其特征在于,该晶片的加工方法包含如下的步骤:

载置步骤,将在一个面上粘贴有带并且在晶片的内部的与该分割预定线对应的位置形成有作为分割起点的改质层的晶片隔着该带载置于加热工作台;以及

分割步骤,在通过该加热工作台对载置于该加热工作台的晶片进行了加热之后,利用冷却单元对晶片的露出的另一个面的整体进行冷却,以该改质层为起点沿着该分割预定线对晶片进行分割,

在该分割步骤中,通过根据该加热与该冷却的温度差而产生的热冲击使晶片断裂。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,

该冷却单元对晶片的该另一个面的整体喷射冷却用的流体。

3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其特征在于,

该冷却单元具有与晶片的该另一个面的整体接触的接触面,利用珀尔帖效应对该接触面进行冷却。

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