[发明专利]高功率GaN器件与结构有效
| 申请号： | 201810085076.7 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN108470764B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 李湛明;傅玥;吴伟东;刘雁飞 | 申请（专利权）人： | 苏州量芯微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 余罡 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市中国(江苏)自由*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明描述了具有良好功率操控和散热性能的半导体器件和结构。本发明适用于GaN材料领域。器件可以是分立的方形或菱形芯片，在这些芯片的角落上有电极接线端、锥形电极基底和相互交叉的电极指。器件矩阵结构为在衬底上由数个芯片以具有相互交叉电路的矩阵构型排列而成。器件点阵结构以包含多个分立器件的单位原胞为基础建立，这些单位原胞按照几何结构周期性地贴焊在芯片上。同时，本发明也描述了实现这种半导体器件和结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 gan 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：一个有四条边和四个角的芯片，其中，第一和第二个角相对，第三和第四个角相对；第一和第二个的电极位于芯片的第一和第二个角上，每一个电极由一个焊盘，一个锥形基底和从锥形基底延伸出来的数个电极指；第一和第二个电极的焊盘分别位于芯片的第一和第二个角上；第一和第二个电极的锥形基底的宽度分别沿其所在芯片角的两边方向逐渐减小；第一和第二个电极的数个电极指是互相交叉的，并且在第一和第二个电极的互相交叉的电极指之间有一个导电沟道。
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