[发明专利]高功率GaN器件与结构

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

一个有四条边和四个角的芯片，其中，第一和第二个角相对，第三和第四个角相对；

第一和第二个的电极位于芯片的第一和第二个角上，每一个电极具有一个焊盘，一个锥形基底和从锥形基底延伸出来的数个电极指；

第一和第二个电极的焊盘分别位于芯片的第一和第二个角上；

第一和第二个电极的锥形基底的宽度分别沿其所在芯片角的两边方向逐渐减小；

第一和第二个电极的数个电极指是互相交叉的，并且在第一和第二个电极的互相交叉的电极指之间有一个导电沟道；

第一和第二个电极的电极指方向平行于由芯片的第一和第二的角确定的轴线。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：芯片为菱形。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：芯片为方形。

4.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：电极指的长度是可变的，电极指的长度沿着锥形电极所在芯片角的两边方向逐渐减小。

5.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：每一个电极指有一个从电极延伸出来的基底和一个末端，并且，每一个电极指的基底部分要比末端部分宽。

6.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：这个半导体器件是一个二极管，其第一和第二个电极为二极管的正极和负极。

7.根据权利要求6所述的一种半导体器件，其特征在于：这个半导体器件为GaN 二极管。

8.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：导电沟道至少通过电学连接到第三和第四个电极中的一个；第三和第四个电极分别位于芯片的第三和第四个角上。

9.根据权利要求8所述的一种半导体器件，其特征在于：这个半导体器件为一个GaNFET 或一个GaN HEMT，第一和第二个电极为漏极和源极，并且，第三和第四个电极中的至少有一个为栅极。

10.一种半导体器件矩阵，其特征在于，包括：

一个电路板；

数条置于电路板至少一个面上的相互交叉的电路；

至少一个与这些电路中的每一个电路相连的电学连接点；

数个相同的如权利要求1所述芯片，这些芯片以n行 X m列的形成排列成一个矩阵，其中，n和m分别为非零整数；

这些芯片贴焊在电路板上，它们的电极与电路板上相互交叉的电路电学连接；

这种相互交叉的电路在每一个芯片之间导入和导出电流；

所述芯片为半导体芯片，数个相同的半导体芯片为GaN二极管、GaN FETs或GaN HEMTs。

11.根据权利要求10所述的一种半导体器件矩阵，其特征在于：其中，相互交叉的电路处于电路板上至少两列和/或两行之间，用于连接二极管的正极和负极或FETs以及HEMTs的漏极和源极。

12.根据权利要求11所述的一种半导体器件矩阵，其特征在于：在电路板上相互交叉的电路之间有一条栅极电路，用于连接FETs或HEMTs的栅极。

13.根据权利要求11所述的一种半导体器件矩阵，其特征在于：所述相互交叉的电路在宽度上是锥形的，且它们中最宽的部分位于电学连接点处。

14.根据权利要求11所述的一种半导体器件矩阵，其特征在于：包含一个单独的电路板。

15.根据权利要求14所述的一种半导体器件矩阵，其特征在于：数个相同的半导体芯片贴焊于电路板的一个面上。