[发明专利]外延用基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201810070534.X | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108807291B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘哲铭;林嫚萱;庄志远;徐硕鸿;邹权炜;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种外延用基板及其制造方法，该外延用基板包括有一基板、一沉积层、一缓冲层以及一外延层。该沉积层直接设置于该基板上，该沉积层具有一渐变掺杂浓度，该沉积层具有一第一表面以及与其相对的第二表面，其中该第一表面具有该渐变掺杂浓度的最小值；一缓冲层，设置于该沉积层之上；一外延层，设置于该缓冲层之上，该外延层主要由III‑V族的氮化物所组成；其中，该基板与该沉积层为同质材料。藉此，通过该沉积层是直接设置于该基板上，且该沉积层与该基板属于同质的设计，本发明所提供的外延用基板具有散热表现佳、低漏电流等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 用基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种外延用基板，其包括有：一基板；一沉积层，直接设置于该基板上，该沉积层具有一渐变掺杂浓度，该沉积层具有一第一表面以及与其相对的第二表面，其中该第一表面具有该渐变掺杂浓度的最小值；一缓冲层，设置于该沉积层之上；一外延层，设置于该缓冲层之上，该外延层主要由III‑V族的氮化物所组成；其中，该基板与该沉积层为同质材料；其中，该沉积层具有一渐变电阻率分布，该渐变电阻率具有一段至少大于1500ohm‑cm的高阻抗层区间。
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