[发明专利]外延用基板及其制造方法

说明书

一种外延用基板及其制造方法，该外延用基板包括有一基板、一沉积层、一缓冲层以及一外延层。该沉积层直接设置于该基板上，该沉积层具有一渐变掺杂浓度，该沉积层具有一第一表面以及与其相对的第二表面，其中该第一表面具有该渐变掺杂浓度的最小值；一缓冲层，设置于该沉积层之上；一外延层，设置于该缓冲层之上，该外延层主要由III‑V族的氮化物所组成；其中，该基板与该沉积层为同质材料。藉此，通过该沉积层是直接设置于该基板上，且该沉积层与该基板属于同质的设计，本发明所提供的外延用基板具有散热表现佳、低漏电流等优点。

技术领域

本发明与半导体基板有关；特别是指一种外延用基板及其制造方法。

背景技术

一般半导体工艺中，是于一碳化硅或蓝宝石基板的表面进行外延的步骤，以形成一外延层，再于该外延层上制作所需的结构、半导体组件或电路。

为满足高功率、高频率的半导体应用领域，半导体组件必须耐受较大的击穿电压并且尽可能的降低来自于基板的漏电流等缺陷问题；例如，绝缘层上硅晶圆(Silicon onInsulator Wafer，SOI Wafer)的使用，即是为了有效降低基板漏电的问题，但在现有SOI结构中，通常会在两层基板之间加入一层氧化物层(如SiO₂)，作为绝缘体以及帮助两层基板黏合之用，然而，由于氧化物层属于热的不良导体，因此，现有SOI工艺所制作出的基板普遍都有散热效果不佳的缺点。

其次，于不同应用上，基板所需的散热效果、热耐受性的要求可能不同，举例而言，于RF组件的应用上，其工作温度相当高，甚至高达400℃之多，因此，若基板的散热不佳，恐影响组件的工作表现。

因此，如何制作出具有强度较佳、低漏电流、耐高温以及散热效果佳的基板，是本领域工作人员亟欲发展的方向之一。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种外延用基板，具有高温耐受性高以及低漏电流的优势。

为达成上述目的，本发明提供的一种外延用基板包括有一基板；一沉积层，直接设置于该基板上，该沉积层具有一渐变掺杂浓度，该沉积层具有一第一表面以及与其相对的第二表面，其中该第一表面具有该渐变掺杂浓度的最小值；一缓冲层，设置于该沉积层之上；一外延层，设置于该缓冲层之上，该外延层主要由III-V族的氮化物所组成；其中，该基板与该沉积层为同质材料。

为达成上述目的，本发明提供的一种外延用基板的制造方法包含有提供一基板；形成一沉积层于该基板上，其中该沉积层与该基板为同质材料，该沉积层具有一渐变掺杂浓度，该沉积层具有一第一表面以及与其相对的第二表面，其中该第一表面具有该渐变掺杂浓度的最小值；形成一缓冲层于该沉积层；以及形成一外延层于该缓冲层上，其中该外延层主要由III-V族的氮化物所组成。

本发明的效果在于，该沉积层是直接设置于该基板上，且该沉积层与该基板属于同质材料的设计，因此具有散热表现佳、低漏电流等优点。

附图说明

图1至图2为本发明一第一优选实施例的外延用基板的横截面示意图。

图3为本发明一第二优选实施例的外延用基板的横截面示意图。

【符号说明】

[本发明]

100 外延用基板

10 基板

20 沉积层

20a 第一表面 20b 第二表面

22 高阻抗层区间 22a 第三表面 22b 第四表面

30 缓冲层

40 外延层

D1 第一距离