[发明专利]外延用基板及其制造方法有效
| 申请号： | 201810070534.X | 申请日： | 2018-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN108807291B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 刘哲铭;林嫚萱;庄志远;徐硕鸿;邹权炜;徐文庆 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 用基板 及其 制造 方法 | ||
1.一种外延用基板，其包括有：
一基板；
一沉积层，直接设置于该基板上，该沉积层具有一渐变掺杂浓度，该沉积层具有一第一表面以及与其相对的第二表面，其中该第一表面具有该渐变掺杂浓度的最小值；
一缓冲层，设置于该沉积层之上；
一外延层，设置于该缓冲层之上，该外延层主要由III-V族的氮化物所组成；
其中，该基板与该沉积层为相同材料；
其中，该沉积层具有一渐变电阻率分布，该渐变电阻率具有一段至少大于1500ohm-cm的高阻抗层区间。
2.如权利要求1所述的外延用基板，其中该沉积层的该第一表面具有该渐变电阻率的最大值。
3.如权利要求1所述的外延用基板，其中该高阻抗层区间的厚度不大于6μm。
4.如权利要求1所述的外延用基板，其中该高阻抗层区间的厚度小于2μm。
5.如权利要求1所述的外延用基板，其中该高阻抗层区间的电阻值大于7000ohm-cm。
6.如权利要求1所述的外延用基板，其中该沉积层的渐变掺杂浓度由该第二表面往该第一表面方向渐低。
7.如权利要求1所述的外延用基板，其中该沉积层的掺杂物与该基板的掺杂物相同。
8.如权利要求1所述的外延用基板，其中该沉积层至少包含有一第一叠层以及一第二叠层，该第一叠层位于该基板上且位于该基板与该第二叠层之间，该第二叠层位于该第一叠层之上。
9.如权利要求8所述的外延用基板，其中该第一叠层的掺杂浓度不大于该基板的掺杂浓度。
10.如权利要求8所述的外延用基板，其中该第一叠层的掺杂物与该基板的掺杂物不同。
11.如权利要求8所述的外延用基板，其中该第一叠层的掺杂物与该第二叠层的掺杂物不同。
12.如权利要求8所述的外延用基板，其中该沉积层的该第一表面具有该渐变电阻率的最大值。
13.如权利要求1或8所述的外延用基板，其中该基板为重掺杂基板，其掺杂浓度不小于1×1018atom/cm3。
14.一种外延用基板的制造方法，其包括有：
A、提供一基板；
B、形成一沉积层于该基板上，其中该沉积层与该基板为相同材料，该沉积层具有一渐变掺杂浓度，该沉积层具有一第一表面以及与其相对的第二表面，其中该第一表面具有该渐变掺杂浓度的最小值；其中，该沉积层具有一渐变电阻率分布，该渐变电阻率具有一段至少大于1500ohm-cm的高阻抗层区间；
C、形成一缓冲层于该沉积层上；以及
D、形成一外延层于该缓冲层上，其中该外延层主要由III-V族的氮化物所组成。
15.如权利要求14所述的外延用基板的制造方法，其中该沉积层的渐变掺杂浓度由该第二表面往该第一表面方向渐低。
16.如权利要求14所述的外延用基板的制造方法，其中该沉积层的掺杂物与该基板的掺杂物相同。
17.如权利要求14所述的外延用基板的制造方法，其中该沉积层至少包含有一第一叠层以及一第二叠层，于步骤B中，先于该基板上形成该第一叠层，再于该第一叠层上形成该第二叠层。
18.如权利要求17所述的外延用基板的制造方法，其中该第一叠层的掺杂浓度不大于该基板的掺杂浓度。
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