[发明专利]一种陶瓷晶片表面抛光浆料及其制备方法在审
申请号: | 201810070527.X | 申请日: | 2018-01-25 |
公开(公告)号: | CN108300330A | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 朱小华;李家荣 | 申请(专利权)人: | 湖北海力天恒纳米科技有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人: | 黄君军 |
地址: | 438000 湖北省黄冈市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种陶瓷晶片表面抛光浆料,所述抛光浆料由下述重量百分比的原料组成:硅溶胶90~94%,助磨剂0.05~2%,光亮剂0.01~1%,表面活性剂0.005~0.1%,缓蚀剂0.1%‑3%,碱性pH值调节剂0.05~2%,余量为去离子水;将上述几种物质按照一定的配比在碱性环境中配合使用,不仅可以增强陶瓷抛光过程中胶体二氧化硅对陶瓷的去除速率,还可以使混合液分散均匀,使混合液形成稳定的体系,使陶瓷表面光泽度高且镜面效果好,另外,本技术方案提供的纳米浆料不会腐蚀设备也更加环保。本技术方案还提供了一种陶瓷晶片表面抛光浆料的制备方法,操作简单,易于大规模生产。 | ||
搜索关键词: | 表面抛光 陶瓷晶片 浆料 混合液 制备 陶瓷 碱性pH值调节剂 胶体二氧化硅 表面活性剂 重量百分比 分散均匀 腐蚀设备 碱性环境 镜面效果 纳米浆料 抛光过程 抛光浆料 去离子水 陶瓷表面 原料组成 光亮剂 光泽度 硅溶胶 缓蚀剂 助磨剂 配比 去除 环保 | ||
【主权项】:
1.一种陶瓷晶片表面抛光浆料,其特征在于,所述抛光浆料由下述重量百分比的原料组成:硅溶胶90~94%,助磨剂0.05~2%,光亮剂0.01~1%,表面活性剂0.005~0.1%,缓蚀剂0.1%‑3%,碱性pH值调节剂0.05~2%,余量为去离子水。
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