[发明专利]一种陶瓷晶片表面抛光浆料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810070527.X | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN108300330A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 朱小华;李家荣 | 申请（专利权）人： | 湖北海力天恒纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 黄君军 |
| 地址： | 438000 湖北省黄冈市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面抛光 陶瓷晶片 浆料 混合液 制备 陶瓷 碱性pH值调节剂 胶体二氧化硅 表面活性剂 重量百分比 分散均匀 腐蚀设备 碱性环境 镜面效果 纳米浆料 抛光过程 抛光浆料 去离子水 陶瓷表面 原料组成 光亮剂 光泽度 硅溶胶 缓蚀剂 助磨剂 配比 去除 环保 | ||
1.一种陶瓷晶片表面抛光浆料，其特征在于，所述抛光浆料由下述重量百分比的原料组成：硅溶胶90～94％，助磨剂0.05～2％，光亮剂0.01～1％，表面活性剂0.005～0.1％，缓蚀剂0.1％-3％，碱性pH值调节剂0.05～2％，余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的陶瓷晶片表面抛光浆料，其特征在于，所述抛光浆料由下述重量百分比的原料组成：硅溶胶90％，助磨剂0.2％，光亮剂0.1％，表面活性剂0.005％，缓蚀剂0.2％，碱性pH值调节剂0.09％，余量为去离子水。
3.根据权利要求2所述的陶瓷晶片表面抛光浆料，其特征在于，所述的助磨剂为醇胺类物质。
4.根据权利要求2所述的陶瓷晶片表面抛光浆料，其特征在于，所述的光亮剂为甘油和/或聚乙二醇400。
5.根据权利要求2所述的陶瓷晶片表面抛光浆料，其特征在于，所述的表面活性剂为烷基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚和仲辛醇聚氧乙烯醚中的至少一种。
6.根据权利要求2所述的陶瓷晶片表面抛光浆料，其特征在于，所述的缓蚀剂是六次亚甲基四胺、苯丙三氮唑和咪唑中的至少一种。
7.根据权利要求2所述的陶瓷晶片表面抛光浆料，其特征在于，所述碱性pH值调节剂为氢氧化钠、氢氧化钾和四甲基氢氧化铵中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的陶瓷晶片表面抛光浆料，其特征在于，所述硅溶胶中二氧化硅的粒径为40～120nm，质量浓度为20～45％。
9.根据权利要求1所述的陶瓷晶片表面抛光浆料，其特征在于，抛光浆料的pH值为10.5～11.5。
10.一种陶瓷晶片表面抛光浆料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.按照以下重量百分比备料：硅溶胶90～94％，助磨剂0.05～2％，光亮剂0.01～1％，表面活性剂0.005～0.1％，缓蚀剂0.1％-3％，碱性pH值调节剂0.05～2％，余量为去离子水；然后用去离子水将助磨剂、光亮剂、碱性pH值调节剂、表面活性剂和缓蚀剂配制成相对应的溶液备用；
S2.在室温条件下，将助磨剂水溶液加入硅溶胶中，边加边搅拌，充分搅拌混合均匀后，向上述混合溶液中加入光亮剂的水溶液，混合均匀后加入缓蚀剂水溶液，再次混合均匀后再加入表面活性剂水溶液，上述加入流量均为90～110ml/min，然后将碱性pH值调节剂水溶液加入上述混合溶液中，搅拌混合均匀后，即得陶瓷晶片表面抛光浆料。
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