[发明专利]一种陶瓷晶片表面抛光浆料及其制备方法

说明书

本发明公开了一种陶瓷晶片表面抛光浆料，所述抛光浆料由下述重量百分比的原料组成：硅溶胶90～94％，助磨剂0.05～2％，光亮剂0.01～1％，表面活性剂0.005～0.1％，缓蚀剂0.1％‑3％，碱性pH值调节剂0.05～2％，余量为去离子水；将上述几种物质按照一定的配比在碱性环境中配合使用，不仅可以增强陶瓷抛光过程中胶体二氧化硅对陶瓷的去除速率，还可以使混合液分散均匀，使混合液形成稳定的体系，使陶瓷表面光泽度高且镜面效果好，另外，本技术方案提供的纳米浆料不会腐蚀设备也更加环保。本技术方案还提供了一种陶瓷晶片表面抛光浆料的制备方法，操作简单，易于大规模生产。

技术领域

本发明涉及抛光材料制备技术领域，具体涉及一种陶瓷晶片表面抛光浆料及其制备方法。

背景技术

陶瓷具有很好的耐磨性，硬度仅次于金刚石，其硬度达到莫氏9级，同时陶瓷致密性比较好，使其具有比钢化玻璃更高的强度，另外陶瓷材料还具有耐刮伤和介电常数高等特性，上述特性使陶瓷材料十分适用于高端手表、手机及其它电子产品领域。目前氧化锆陶瓷材料在手机背板及手机指纹解锁领域得到广泛的应用，这也将成为后期手机发展的趋势。

由于陶瓷材料本身硬度大且质脆，使用传统的机械或者常规抛光工艺不能达到目前应用的要求，目前常规的抛光工艺抛光后的陶瓷产品主要存在以下问题：1.良品率偏低；2.加工效率低下；3.表面质量和镜面效果达不到客户要求。利用化学抛光处理陶瓷材料可以在一定程度上提高良品率、加工效率以及表面质量，但是抛光效率和加工后的产品表面质量仍然欠佳。另外，目前有些抛光液使用硝酸、硫酸、磷酸等强酸性化学助剂，不仅会腐蚀抛光设备，抛光过程还会产生NO_X和SO₂等污染环境的气体。

发明内容

本发明的目的在于克服上述技术不足，提出一种陶瓷晶片表面抛光浆料及其制备方法，解决现有技术中陶瓷抛光液抛光效果不理想、抛光速率低和不环保的技术问题。

为达到上述技术目的，本发明的技术方案提供一种陶瓷晶片表面抛光浆料，所述抛光浆料由下述重量百分比的原料组成：硅溶胶90～94％，助磨剂0.05～2％，光亮剂0.01～1％，表面活性剂0.005～0.1％，缓蚀剂0.1％-3％，碱性pH值调节剂0.05～2％，余量为去离子水。

本发明的技术方案还提供了一种陶瓷晶片表面抛光浆料的制备方法，包括如下步骤：

S1.按照以下重量百分比备料：硅溶胶90～94％，助磨剂0.05～2％，光亮剂0.01～1％，表面活性剂0.005～0.1％，缓蚀剂0.1％-3％，碱性pH值调节剂0.05～2％，余量为去离子水；然后用去离子水将助磨剂、光亮剂、碱性pH值调节剂、表面活性剂和缓蚀剂配制成相对应的溶液备用；

S2.在室温条件下，将助磨剂水溶液加入硅溶胶中，边加边搅拌，充分搅拌混合均匀后，向上述混合溶液中加入光亮剂的水溶液，混合均匀后加入缓蚀剂水溶液，再次混合均匀后再加入表面活性剂水溶液，上述加入流量均为90～110ml/min，然后将碱性pH值调节剂水溶液加入上述混合溶液中，搅拌混合均匀后，即得陶瓷晶片表面抛光浆料。

与现有技术相比，本发明的有益效果包括：本技术方案提供的陶瓷晶片表面抛光浆料，选用90～94％的硅溶胶作为磨料，同时添加0.05～2％的醇胺类物质作为助磨剂，可以增强硅溶胶中二氧化硅对陶瓷的去除速率；向硅溶胶中加入0.01～1％的光亮剂，0.005～0.1％的表面活性剂以及0.1％-3％的缓蚀剂，将上述几种物质按照一定的配比在碱性环境中配合使用，不仅可以增强陶瓷抛光过程中胶体二氧化硅对陶瓷的去除速率，还可以使混合液分散均匀，使混合液形成稳定的体系，使陶瓷表面光泽度高且镜面效果好，另外，本技术方案提供的纳米浆料不会腐蚀设备也更加环保。本技术方案还提供了一种陶瓷晶片表面抛光浆料的制备方法，控制加入流量为90～110ml/min，一方面缩短了制备时间，另一方面避免了二氧化硅变性；且本发明的制备方法很简单，易于大规模生产。

具体实施方式