[发明专利]半导体器件闪烁噪声表征数据筛选方法在审

专利信息
申请号: 201810058401.0 申请日: 2018-01-22
公开(公告)号: CN108304630A 公开(公告)日: 2018-07-20
发明(设计)人: 王伟;吕少力 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50;G06F17/30
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 焦天雷
地址: 201203 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种半导体器件闪烁噪声表征数据筛选方法,包括选取多个半导体样本,设置多个测试频点,获取每个半导体样本在每个测试频点的噪声频谱,将多个半导体样本在同一个测试频点的噪声频谱按采集算法处理获得该测试频点的噪声频谱表征数据,将所有测试频点的噪声频谱表征数据作为这种半导体器件闪烁噪声模型拟合的实验数据。利用本发明处理的噪声数据能更真实反映实验中的情况,避免不同偏压下的噪声频谱曲线发生重合、交叉等非正常现象,使SPICE模型能够更准确的与噪声频谱数据进行拟合,能更符合半导体器件实际工作状态下的物理特性。
搜索关键词: 噪声频谱 频点 半导体器件 表征数据 半导体样本 测试 闪烁 拟合 噪声 筛选 实际工作状态 噪声频谱数据 实验数据 算法处理 物理特性 噪声模型 噪声数据 重合 采集
【主权项】:
1.一种半导体器件闪烁噪声表征数据筛选方法,其特征在于,包括以下步骤:1)选取多个半导体样本;2)设置多个测试频点;3)获取相同的测试条件下每个半导体样本在每个测试频点的噪声频谱;4)将多个半导体样本在同一个测试频点的噪声频谱按采集算法处理获得该测试频点的噪声频谱表征数据;5)将所有测试频点的噪声频谱表征数据作为这种半导体器件闪烁噪声模型拟合的实验数据。
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