[发明专利]半导体器件闪烁噪声表征数据筛选方法在审
| 申请号： | 201810058401.0 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN108304630A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 王伟;吕少力 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G06F17/30 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 噪声频谱 频点 半导体器件 表征数据 半导体样本 测试 闪烁 拟合 噪声 筛选 实际工作状态 噪声频谱数据 实验数据 算法处理 物理特性 噪声模型 噪声数据 重合 采集 | ||
1.一种半导体器件闪烁噪声表征数据筛选方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)选取多个半导体样本；
2)设置多个测试频点；
3)获取相同的测试条件下每个半导体样本在每个测试频点的噪声频谱；
4)将多个半导体样本在同一个测试频点的噪声频谱按采集算法处理获得该测试频点的噪声频谱表征数据；
5)将所有测试频点的噪声频谱表征数据作为这种半导体器件闪烁噪声模型拟合的实验数据。
2.如权利要求1所述半导体器件闪烁噪声表征数据筛选方法，其特征在于，所述采集算法为：计算多个半导体样本在同一个测试频点噪声频谱的中位数值作为该测试频点的噪声频谱表征数据。
3.如权利要求1所述半导体器件闪烁噪声表征数据筛选方法，其特征在于，所述采集算法为：计算多个半导体样本在同一个测试频点噪声频谱的算术平均值作为该测试频点的噪声频谱表征数据。
4.如权利要求1所述半导体器件闪烁噪声表征数据筛选方法，其特征在于，所述采集算法为：
计算多个半导体样本在同一个测试频点噪声频谱的中位数值和算术平均值；
计算多个半导体样本在上述测试频率点的中位数值和算术平均值的算数平均值，将该均值作为该测试频点的噪声频谱表征数据。
5.如权利要求1-4任意一项所述半导体器件闪烁噪声表征数据筛选方法，其特征在于：
实施步骤4)时，在采集算法处理各测试频点的噪声频谱前，先对各测试频点噪声频谱进行预降噪处理。
6.如权利要求5所述半导体器件闪烁噪声表征数据筛选方法，其特征在于：所述预降噪处理是删除各个测试频点噪声频谱中大于标准偏差3-6倍的噪声频谱。
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