[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供防止将光致抗蚀剂膜用作掩模时的抗蚀剂图案端部的形状垮塌而减少设计余量的半导体装置的制造方法。包括：第一工序，在半导体晶片(10)的第一主面涂敷光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂膜(31)；第二工序，在光致抗蚀剂膜(31)转印形成第一开口部的第一掩模图案(32a)；第三工序，在光致抗蚀剂膜转印形成位置与第一开口部的位置不同的第二开口部的第二掩模图案(32b)；第四工序，基于第一掩模图案(32a)以及第二掩模图案选择性地除去光致抗蚀剂膜(31)，形成具有光致抗蚀剂膜的第一开口部以及第二开口部的抗蚀剂掩模；第五工序，将抗蚀剂掩模(31)作为掩模，以离子注入的方式将杂质注入半导体晶片(10)。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：第一工序，在半导体晶片的第一主面涂敷光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂膜；第二工序，在所述光致抗蚀剂膜转印第一掩模图案，所述第一掩模图案形成第一开口部；第三工序，在所述光致抗蚀剂膜转印第二掩模图案，所述第二掩模图案形成多个位置与所述第一开口部的位置不同的第二开口部；第四工序，基于所述第一掩模图案以及所述第二掩模图案选择性地除去所述光致抗蚀剂膜，形成具有所述光致抗蚀剂膜的所述第一开口部以及所述第二开口部的抗蚀剂掩模；以及第五工序，将所述抗蚀剂掩模作为掩模，以离子注入的方式将杂质注入所述半导体晶片。