[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，在半导体晶片的第一主面涂敷光致抗蚀剂而形成光致抗蚀剂膜；

第二工序，在所述光致抗蚀剂膜转印第一掩模图案，所述第一掩模图案形成第一开口部；

第三工序，在所述光致抗蚀剂膜转印第二掩模图案，所述第二掩模图案形成多个位置与所述第一开口部的位置不同的第二开口部；

第四工序，基于所述第一掩模图案以及所述第二掩模图案选择性地除去所述光致抗蚀剂膜，形成具有所述光致抗蚀剂膜的所述第一开口部以及所述第二开口部的抗蚀剂掩模；以及

第五工序，将所述抗蚀剂掩模作为掩模，以离子注入的方式将杂质注入所述半导体晶片，

所述第二开口部的深度比所述第一开口部的深度浅，

有夹在所述第一开口部与所述第二开口部的所述抗蚀剂掩模的凸的部分，

所述凸的部分的宽度为1μm以上且3μm以下。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置的制造方法将所述第四工序分开，

在所述第二工序之后且所述第三工序之前，基于所述第一掩模图案选择性地除去所述光致抗蚀剂膜，形成具有所述第一开口部的所述抗蚀剂掩模，

在所述第三工序之后，基于所述第二掩模图案选择性地除去所述抗蚀剂掩模，在所述抗蚀剂掩模形成多个所述第二开口部。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法在所述第四工序之后且所述第五工序之前，包括：对所述抗蚀剂掩模照射紫外线的工序或对所述抗蚀剂掩模进行加热的工序。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一开口部与所述第二开口部分离。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第二开口部中，所述杂质没有被离子注入到所述半导体晶片。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二开口部的宽度比所述第一开口部的宽度窄。

7.根据权利要求1～6中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二开口部的深度为0.5μm以上且1μm以下。

8.根据权利要求1～7中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二开口部的宽度为1μm以上且3μm以下。

9.根据权利要求1～8中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二掩模图案的开口宽度为1μm以上且3μm以下。

10.根据权利要求1～9中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二掩模图案的开口部以1μm以上且3μm以下的间隔排列。

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在曝光下进行转印形成所述第一开口部的第一掩模图案的所述第二工序、转印形成多个所述第二开口部的第二掩模图案的所述第三工序，所述第二工序的所述曝光的深度与所述第三工序的所述曝光的深度不同。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第三工序的所述曝光的深度比所述第二工序的所述曝光的深度浅。

13.根据权利要求1～12中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，使用化学增幅型的所述光致抗蚀剂。

14.根据权利要求1～12中的任意一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，使用正型的所述光致抗蚀剂。