[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的实施方式提供一种既抑制了半导体芯片的不良又提高了与封装树脂的密接性及杂质吸除效果的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备半导体衬底。半导体元件设置于半导体衬底的第1面上。能量吸收膜设置于第1面上，吸收光能而发热。第1绝缘膜设置于半导体元件及能量吸收膜上。第2绝缘膜设置于处在第1面相反侧的半导体衬底的第2面上。第1改质层设置于处在第1面外缘与第2面外缘之间的半导体衬底的侧面。第2改质层设置于能量吸收膜与第1改质层之间的侧面。劈开面设置于第1改质层与第2改质层之间的侧面。

主权项

1.一种半导体装置，具备：半导体衬底；半导体元件，设置于所述半导体衬底的第1面上；能量吸收膜，设置于所述第1面上，吸收光能而发热；第1绝缘膜，设置于所述半导体元件及所述能量吸收膜上；第2绝缘膜，设置于处在所述第1面相反侧的所述半导体衬底的第2面上；第1改质层，设置于处在所述第1面外缘与所述第2面外缘之间的所述半导体衬底的侧面，且含有晶体缺陷；第2改质层，设置于所述能量吸收膜与所述第1改质层之间的所述侧面，且含有晶体缺陷；及劈开面，设置于所述第1改质层与所述第2改质层之间的所述侧面。