[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体衬底；

半导体元件，设置于所述半导体衬底的第1面上；

能量吸收膜，设置于所述第1面上，吸收光能而发热；

第1绝缘膜，设置于所述半导体元件及所述能量吸收膜上；

第2绝缘膜，设置于处在所述第1面相反侧的所述半导体衬底的第2面上；

第1改质层，设置于处在所述第1面外缘与所述第2面外缘之间的所述半导体衬底的侧面，且含有晶体缺陷；

第2改质层，仅设置于所述能量吸收膜与所述第1改质层之间的所述侧面，且含有晶体缺陷；及

劈开面，设置于所述第1改质层与所述第2改质层之间的所述侧面。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中

所述第2改质层设置于所述能量吸收膜正下方的所述侧面。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中

所述能量吸收膜为金属膜。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中

所述能量吸收膜在所述第1绝缘膜上一直设置至所述第1面的外缘上方。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中

所述第2改质层设置于所述能量吸收膜正下方的所述半导体衬底。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中

所述第1改质层的晶体缺陷的大小大于所述第2改质层的晶体缺陷的大小。

7.一种半导体装置的制造方法，制造具备设置于半导体衬底的第1面上的半导体元件、设置于所述半导体元件上的能量吸收膜、设置于所述能量吸收膜上的第1绝缘膜、及设置于处在所述第1面相反侧的第2面上的第2绝缘膜的半导体装置，且包括如下步骤：

将所述半导体衬底贴附于带上；

从所述第2面沿着所述半导体衬底的切晶线，以在位于所述第1面与所述第2面的中间区域的所述半导体衬底上聚焦的方式，照射激光光线，在所述激光光线的照射下，将位于所述第1面与所述第2面的中间区域的所述半导体衬底改质为第1改质层，并且仅将所述能量吸收膜与所述第1改质层之间的所述半导体衬底改质为第2改质层；及

拉伸所述带，由此将所述半导体衬底沿所述切晶线切断，而使之单片化成半导体芯片。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中

在所述激光光线的照射下，所述第1改质层与所述第2改质层之间的所述半导体衬底未被改质。