[发明专利]一种用于制造高密度MRAM的自对准互联方法

摘要

本发明涉及一种用于制造高密度MRAM的自对准互联方法，包括如下步骤：步骤一、沉积底导电电极层、MTJ元件层及金属掩膜层；步骤二、制备柱形MTJ元件，原位沉积用于保护柱形MTJ元件的第一电介质保护层；步骤三、制造底导电电极、沉积用于填充柱形MTJ元件阵列间隙的第二电介质保护层；步骤四、整平第二电介质保护层，暴露柱形MTJ元件上方的第一电介质保护层；步骤五、同时蚀刻第一、第二电介质保护层，暴露柱形MTJ元件上方的金属掩膜层，自对准的在柱形MTJ元件上方形成第二接触孔；步骤六、沉积上导电层。本发明方法大大增加了MRAM器件的良率；节省一道光刻步骤，大大降低了生产成本及风险。

主权项

1.一种用于制造高密度MRAM的自对准互联方法，其特征在于：该方法包括如下步骤：步骤一、沉积底导电电极层、MTJ元件层及金属掩膜层；步骤二、制备柱形MTJ元件，原位沉积用于保护柱形MTJ元件的第一电介质保护层；步骤三、制造底导电电极、沉积用于填充柱形MTJ元件阵列间隙的第二电介质保护层；步骤四、整平第二电介质保护层，暴露柱形MTJ元件上方的第一电介质保护层；步骤五、同时蚀刻第一、第二电介质保护层，暴露柱形MTJ元件上方的金属掩膜层，自对准的在柱形MTJ元件上方形成第二接触孔；步骤六、沉积上导电层。