[发明专利]晶圆处理方法在审
| 申请号： | 201810029233.2 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108257864A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 高超;程洁;熊磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：在待处理晶圆的正面形成牺牲层；对形成所述牺牲层后的待处理晶圆进行第一刻蚀形成第一沟槽；对所述第一刻蚀后的待处理晶圆进行第二刻蚀形成第二沟槽，所述第二刻蚀为深硅刻蚀工艺，所述第二沟槽在所述第一沟槽的槽底。本发明提供的晶圆处理方法中，通过在待处理晶圆的正面形成牺牲层，使得牺牲层的消耗过程中清除位于牺牲层上的残留物，通过第一刻蚀形成的第一沟槽将晶圆上各芯片进行分割，再通过深硅刻蚀工艺在第一沟槽内形成的第二沟槽，在第二沟槽的基础上较佳的实现芯片的分离，通过本方法形成宽度较小的沟槽来完成芯片的分离，从而可提高晶圆的面积利用率，进而提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 牺牲层 刻蚀 硅刻蚀工艺 芯片 面积利用率 生产效率 种晶 消耗 分割 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法包括：在待处理晶圆的正面形成牺牲层；对形成所述牺牲层后的待处理晶圆进行第一刻蚀形成第一沟槽；对所述第一刻蚀后的待处理晶圆进行第二刻蚀形成第二沟槽，所述第二刻蚀为深硅刻蚀工艺，所述第二沟槽在所述第一沟槽的槽底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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