[发明专利]晶圆处理方法在审
| 申请号： | 201810029233.2 | 申请日： | 2018-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN108257864A | 公开（公告）日： | 2018-07-06 |
| 发明（设计）人： | 高超;程洁;熊磊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308;H01L21/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 牺牲层 刻蚀 硅刻蚀工艺 芯片 面积利用率 生产效率 种晶 消耗 分割 | ||
1.一种晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法包括：
在待处理晶圆的正面形成牺牲层；
对形成所述牺牲层后的待处理晶圆进行第一刻蚀形成第一沟槽；
对所述第一刻蚀后的待处理晶圆进行第二刻蚀形成第二沟槽，所述第二刻蚀为深硅刻蚀工艺，所述第二沟槽在所述第一沟槽的槽底。
2.如权利要求1所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅。
3.如权利要求1或2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述牺牲层的厚度为
4.如权利要求1或2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述第一刻蚀为层间刻蚀，所述层间刻蚀包括刻蚀所述牺牲层以及所述待处理晶圆上的钝化层和层间介质。
5.如权利要求1或2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述第一沟槽的宽度小于等于10um，所述第二沟槽的深度为130um～170um。
6.如权利要求1或2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述第二刻蚀包括采用为钝化气体的八氟环丁烷和为刻蚀气体的六氟化硫。
7.如权利要求1或2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法还包括：在形成所述牺牲层之前，在待处理晶圆的正面形成钝化层，且在形成所述牺牲层后进行钝化层刻蚀工艺。
8.如权利要求7所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述钝化层的材料为氮化硅。
9.如权利要求1或2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述第一刻蚀包括：在所述牺牲层上形成光刻胶。
10.如权利要求9所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述第二刻蚀包括：将所述牺牲层和所述光刻胶去除。
11.如权利要求1或2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法还包括：在所述第二刻蚀后，对待处理晶圆进行探针测试。
12.如权利要求1或2所述的晶圆处理方法，其特征在于，所述晶圆处理方法还包括：在所述第二刻蚀后，对待处理晶圆的背面进行研磨工艺，所述研磨工艺研磨至第二沟槽。
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