[发明专利]晶圆处理方法

说明书

本发明提供一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：在待处理晶圆的正面形成牺牲层；对形成所述牺牲层后的待处理晶圆进行第一刻蚀形成第一沟槽；对所述第一刻蚀后的待处理晶圆进行第二刻蚀形成第二沟槽，所述第二刻蚀为深硅刻蚀工艺，所述第二沟槽在所述第一沟槽的槽底。本发明提供的晶圆处理方法中，通过在待处理晶圆的正面形成牺牲层，使得牺牲层的消耗过程中清除位于牺牲层上的残留物，通过第一刻蚀形成的第一沟槽将晶圆上各芯片进行分割，再通过深硅刻蚀工艺在第一沟槽内形成的第二沟槽，在第二沟槽的基础上较佳的实现芯片的分离，通过本方法形成宽度较小的沟槽来完成芯片的分离，从而可提高晶圆的面积利用率，进而提高了生产效率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆处理方法。

背景技术

半导体制造技术需要在半导体硅片上进行多种不同的物理和化学工艺形成器件结构，然后形成可被切割为多个独立芯片(die)的晶圆。将多个芯片从晶圆中分割出来作为后段流程中较重要的工艺，通常可采用激光或刀片切割晶圆的方式。

但是，在现有技术中切割晶圆的方式中，需要为激光或刀片预留一定加工区域，例如，激光需要预留40um以上的宽度才能完成切割，而刀片的刀刃则需要50um以上的宽度才能完成切割，从而不至于损伤到芯片并较为顺利的实现分离。由于晶圆本身的尺寸是相对确定的，晶圆需要预留的加工区域往往会占据不少面积，从而降低了利用率，使单片晶圆上芯片的数量因此减少。

因此，如何提供一种晶圆处理方法以提高晶圆利用率的问题是本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种晶圆处理方法，解决晶圆的面积利用率不高的问题。

为了解决上述问题，本发明提供一种晶圆处理方法，所述晶圆处理方法包括：在待处理晶圆的正面形成牺牲层；对形成所述牺牲层后的待处理晶圆进行第一刻蚀形成第一沟槽；对所述第一刻蚀后的待处理晶圆进行第二刻蚀形成第二沟槽，所述第二刻蚀为深硅刻蚀工艺，所述第二沟槽在所述第一沟槽的槽底。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述牺牲层的材料为氧化硅。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述牺牲层的厚度为

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述第一刻蚀为层间刻蚀，所述层间刻蚀包括刻蚀所述牺牲层以及所述待处理晶圆上的钝化层和层间介质。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述第一沟槽的宽度小于等于10um，所述第二沟槽的深度为130um～170um。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述第二刻蚀包括采用为钝化气体的八氟环丁烷和为刻蚀气体的六氟化硫。

可选的，在所述晶圆处理方法中，还包括：在形成所述牺牲层之前，在待处理晶圆的正面形成钝化层，且在形成所述牺牲层后进行钝化层刻蚀工艺。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述钝化层为氮化硅。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述第一刻蚀包括：在所述牺牲层上形成光刻胶。

可选的，在所述晶圆处理方法中，所述第二刻蚀包括：将所述牺牲层和所述光刻胶去除。

可选的，在所述晶圆处理方法中，还包括：在所述第二刻蚀后，对待处理晶圆进行探针测试。

可选的，在所述晶圆处理方法中，还包括：在所述第二刻蚀后，对待处理晶圆的背面进行研磨工艺，所述研磨工艺研磨至第二沟槽。