[发明专利]半导体器件制造方法和半导体晶片

摘要

本发明涉及半导体器件制造方法和半导体晶片。制备在产品芯片与图案禁止区域之间提供有伪芯片的半导体晶片。在半导体晶片的边缘部分被保留的情况下，对内部半导体衬底的底表面进行磨削，并且此后，将半导体晶片以环形切割以去除边缘部分。在这里，在伪芯片中，在半导体衬底的顶表面上形成了覆盖导电图案的保护膜并且面向图案禁止区域的保护膜的端表面位于导电图案上。此外，在平面图中，边缘部分的内周端位于图案禁止区域中并且将边缘部分的内周端与伪芯片之间的图案禁止区域以环形切割。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：(a)制备具有顶表面以及与所述顶表面相反的后表面的半导体晶片，在平面图中，所述顶表面包括器件区域、被布置在所述器件区域的外部以围绕所述器件区域的虚设区域、以及被布置在所述虚设区域的外部以围绕所述虚设区域的图案禁止区域；(b)在将第一保护带贴附所述到半导体晶片的所述顶表面之后，在保留所述半导体晶片的边缘部分的情况下，从所述半导体晶片的所述后表面对形成所述半导体晶片的半导体衬底进行磨削，以使比所述边缘部分更靠内的所述半导体衬底变薄；(c)剥离掉所述第一保护带；以及(d)在将第二保护带贴附到所述半导体晶片的所述后表面之后，在平面图中，从所述半导体晶片的所述顶表面以环形对所述半导体晶片进行切割以去除所述边缘部分，其中，所述虚设区域包括所述半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的第一导电图案、以及形成在所述导电图案上的第一绝缘图案，其中，所述第一绝缘图案的面向所述图案禁止区域的端表面位于所述第一导电图案上，其中，在所述步骤(b)中，在平面图中，所述边缘部分的内周端位于所述图案禁止区域中，其中，在所述步骤(d)中，在平面图中，在所述边缘部分的所述内周端与所述虚设区域之间以环形对所述图案禁止区域进行切割。