[发明专利]半导体器件制造方法和半导体晶片

说明书

本发明涉及半导体器件制造方法和半导体晶片。制备在产品芯片与图案禁止区域之间提供有伪芯片的半导体晶片。在半导体晶片的边缘部分被保留的情况下，对内部半导体衬底的底表面进行磨削，并且此后，将半导体晶片以环形切割以去除边缘部分。在这里，在伪芯片中，在半导体衬底的顶表面上形成了覆盖导电图案的保护膜并且面向图案禁止区域的保护膜的端表面位于导电图案上。此外，在平面图中，边缘部分的内周端位于图案禁止区域中并且将边缘部分的内周端与伪芯片之间的图案禁止区域以环形切割。

相关申请的交叉引用

于2017年1月10日提交的包括说明书、附图、以及摘要的日本专利申请No.2017-001999的公开通过引用被整体并入本文。

技术领域

本发明涉及一种制造半导体器件的方法以及一种半导体晶片，并且可特别地适用于利用下述技术来制造半导体器件，所述技术用于当磨削半导体晶片的后表面时通过除半导体晶片的外周边之外而仅磨削半导体晶片的内部部分来使半导体晶片变薄(以下称为TAIKO处理)。

背景技术

日本未审查专利申请公开No.2007-036129公开了这样一种技术，其中在距晶片的外周边几毫米的区域中保留钝化膜，移除刻划线上的钝化膜，之后对晶片的后表面进行磨削，并且沿着刻划线切割晶片以切出单个芯片。

此外，日本未审查专利申请公开No.2015-147231公开了一种晶片，该晶片的顶表面具有包括多个器件的器件区域以及围绕器件区域的外周边过度区域，并且该晶片的后表面在与外周边过度区域相对应的位置处具有环形加强部分。

此外，日本未审查专利申请公开No.2015-177170公开了这样一种技术，其中利用贴附到晶片的顶表面的保护带在环形的凸起部分和凹陷部分的边界中形成分割槽，使划割带贴附到晶片的后表面，从顶表面去除保护带和环形的凸起部分，从而将形成晶片的区域的器件划分割成单独器件。

TAIKO处理在减小半导体晶片的翘曲并避免晶片的强度降低方面是有效的，即使在将晶片变薄至约60μm至120μm时也是如此。然而，当将半导体晶片的外周边部分以环形切割时，在剩余半导体晶片的外周边会发生三角形碎裂，并且这种三角形碎裂不利地触发了剩余半导体晶片的裂缝。

从对说明书和附图的描述其它问题和新颖特征将是显而易见的。

发明内容

在根据实施例的制造半导体器件的方法中，首先，制备半导体晶片，该半导体晶片包括器件区域、布置在器件区域外部以围绕器件区域的虚设区域、以及布置在虚设区域外部以围绕虚设区域的图案禁止区域。在保留半导体晶片的边缘部分的情况下，从半导体晶片的后表面对形成半导体晶片的半导体衬底进行磨削以使半导体衬底比边缘部分更薄，并且此后，将半导体晶片以环形切割以去除边缘部分。在这里，在虚设区域中，在半导体衬底的顶表面上形成了覆盖导电图案的保护膜，面向图案禁止区域的保护膜的端表面位于导电图案上，并且从半导体晶片的外周边至保护膜的距离大于同一外周边至导电图案的距离。此外，在平面图中，边缘部分的内周端位于图案禁止区域中，并且将边缘部分的内周端与虚设区域之间的图案禁止区域以环形切割。

根据一个实施例，可以提高半导体器件的制造良率。

附图说明

图1是根据一个实施例的用于描述制造半导体器件的方法的流程图。

图2是示出了根据实施例的具有形成于半导体晶片中的多个半导体器件(半导体芯片)的半导体晶片的顶表面的平面图。

图3是示出了根据实施例的半导体器件(半导体芯片)的平面图。

图4是示出了根据实施例的半导体器件的一部分的横截面图。

图5A(a)是以放大的方式示出了图2所示的AP区域的平面图，并且图5A(b)是示出了沿着图5A(a)的线A-A'所截取的横截面的示意图。