[发明专利]半导体器件制造方法和半导体晶片

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

(a)制备具有顶表面以及与所述顶表面相反的后表面的半导体晶片，在平面图中，所述顶表面包括器件区域、被布置在所述器件区域的外部以围绕所述器件区域的虚设区域、以及被布置在所述虚设区域的外部以围绕所述虚设区域的图案禁止区域；

(b)在将第一保护带贴附所述到半导体晶片的所述顶表面之后，在保留所述半导体晶片的边缘部分的情况下，从所述半导体晶片的所述后表面对形成所述半导体晶片的半导体衬底进行磨削，以使比所述边缘部分更靠内的所述半导体衬底变薄；

(c)剥离掉所述第一保护带；以及

(d)在将第二保护带贴附到所述半导体晶片的所述后表面之后，在平面图中，从所述半导体晶片的所述顶表面以环形对所述半导体晶片进行切割以去除所述边缘部分，

其中，所述虚设区域包括所述半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的第一导电图案、以及形成在所述导电图案上的第一绝缘图案，

其中，所述第一绝缘图案的面向所述图案禁止区域的端表面位于所述第一导电图案上，

其中，在所述步骤(b)中，在平面图中，所述边缘部分的内周端位于所述图案禁止区域中，

其中，在所述步骤(d)中，在平面图中，在所述边缘部分的所述内周端与所述虚设区域之间以环形对所述图案禁止区域进行切割。

2.根据权利要求1所述的方法，

其中，当将所述第一导电图案和所述第一绝缘图案的堆叠的厚度定义为H、将从以环形切割的区域到所述第一绝缘图案的面向所述图案禁止区域的端表面的距离定义为X1、并且将从以环形切割的所述区域到所述第一导电图案的面向所述图案禁止区域的端表面的距离定义为X2时，满足关系H<X2<(X1-X2)。

3.根据权利要求1所述的方法，

其中，当将所述第一导电图案和所述第一绝缘图案的堆叠的厚度定义为H1、将从以环形切割的区域到所述第一绝缘图案的面向所述图案禁止区域的端表面的距离定义为X1、将从以环形切割的所述区域到所述第一导电图案的面向所述图案禁止区域的端表面的距离定义为X2、并且将在所述第一绝缘图案上的所述第二保护带的厚度定义为H2时，满足关系(H1+H2)<X2<(X1-X2)。

4.根据权利要求1所述的方法，

其中，从所述半导体晶片的外周边到所述第一绝缘图案的面向所述图案禁止区域的端表面的第一距离大于从所述半导体晶片的所述外周边到所述第一导电图案的面向所述图案禁止区域的端表面的第二距离。

5.根据权利要求4所述的方法，

其中，在所述第一距离与所述第二距离之间的差是0.4μm及以上。

6.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述第一绝缘图案是有机树脂膜。

7.根据权利要求1所述的方法，

其中，所述器件区域包括所述半导体衬底、形成在所述半导体衬底上的与所述第一导电图案为相同层的第二导电图案、以及形成在所述第二导电图案上的与所述第一绝缘图案为相同层的第二绝缘图案，以及

其中，所述第二导电图案的端表面被所述第二绝缘图案覆盖。

8.根据权利要求1所述的方法，

其中，在所述步骤(b)中已被磨削后的所述半导体衬底的厚度为60μm至120μm。