[发明专利]一种OLED背板及其制备方法在审
| 申请号: | 201810017447.8 | 申请日: | 2018-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN108461520A | 公开(公告)日: | 2018-08-28 |
| 发明(设计)人: | 余明爵 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种OLED背板及其制备方法,该方法包括下述步骤:在玻璃基板上沉积缓冲层;在缓冲层上沉积第一金属层,图形化第一金属层,形成源极、漏极以及存储电容下电极;在缓冲层上沉积半导体层,且半导体层覆盖源极与漏极;在半导体层上沉积栅极绝缘层;在栅极绝缘层上沉积第二金属层,图形化第二金属层,形成栅极以及存储电容上电极;利用栅极自对准刻蚀栅极绝缘层和半导体层,将源极和漏极露出。本发明在制备OLED背板的过程中,可以减少所需的光罩,有效降低OLED背板的制作成本。 | ||
| 搜索关键词: | 半导体层 背板 沉积 缓冲层 漏极 源极 制备 第二金属层 第一金属层 图形化 绝缘层 沉积栅极绝缘层 存储电容下电极 栅极绝缘层 玻璃基板 存储电容 刻蚀栅极 电极 自对准 光罩 覆盖 制作 | ||
【主权项】:
1.一种OLED背板的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:在玻璃基板上沉积缓冲层;在所述缓冲层上沉积第一金属层,图形化所述第一金属层,形成源极、漏极以及存储电容下电极;在所述缓冲层上沉积半导体层,且所述半导体层覆盖所述源极与所述漏极;在所述半导体层上沉积栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层,图形化所述第二金属层,形成栅极以及存储电容上电极;利用所述栅极自对准刻蚀所述栅极绝缘层和所述半导体层,将所述源极和所述漏极露出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





