[发明专利]一种OLED背板及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810017447.8 申请日: 2018-01-09
公开(公告)号: CN108461520A 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: 余明爵 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 代理人: 潘中毅;熊贤卿
地址: 518000 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种OLED背板及其制备方法,该方法包括下述步骤:在玻璃基板上沉积缓冲层;在缓冲层上沉积第一金属层,图形化第一金属层,形成源极、漏极以及存储电容下电极;在缓冲层上沉积半导体层,且半导体层覆盖源极与漏极;在半导体层上沉积栅极绝缘层;在栅极绝缘层上沉积第二金属层,图形化第二金属层,形成栅极以及存储电容上电极;利用栅极自对准刻蚀栅极绝缘层和半导体层,将源极和漏极露出。本发明在制备OLED背板的过程中,可以减少所需的光罩,有效降低OLED背板的制作成本。
搜索关键词: 半导体层 背板 沉积 缓冲层 漏极 源极 制备 第二金属层 第一金属层 图形化 绝缘层 沉积栅极绝缘层 存储电容下电极 栅极绝缘层 玻璃基板 存储电容 刻蚀栅极 电极 自对准 光罩 覆盖 制作
【主权项】:
1.一种OLED背板的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:在玻璃基板上沉积缓冲层;在所述缓冲层上沉积第一金属层,图形化所述第一金属层,形成源极、漏极以及存储电容下电极;在所述缓冲层上沉积半导体层,且所述半导体层覆盖所述源极与所述漏极;在所述半导体层上沉积栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层,图形化所述第二金属层,形成栅极以及存储电容上电极;利用所述栅极自对准刻蚀所述栅极绝缘层和所述半导体层,将所述源极和所述漏极露出。
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