[发明专利]一种OLED背板及其制备方法

权利要求书

1.一种OLED背板的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

在玻璃基板上沉积缓冲层；

在所述缓冲层上沉积第一金属层，图形化所述第一金属层，形成源极、漏极以及存储电容下电极；

在所述缓冲层上沉积半导体层，且所述半导体层覆盖所述源极与所述漏极；

在所述半导体层上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，图形化所述第二金属层，形成栅极以及存储电容上电极；

利用所述栅极自对准刻蚀所述栅极绝缘层和所述半导体层，将所述源极和所述漏极露出。

2.根据权利要求1所述的OLED背板的制备方法，其特征在于，还包括下述步骤：

在所述缓冲层上形成钝化层，且所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极、所述栅极、所述存储电容上电极以及所述存储电容下电极。

3.根据权利要求2所述的OLED背板的制备方法，其特征在于，还包括下述步骤：

在所述钝化层上形成平坦层；

在所述平坦层和所述钝化层上均形成过孔，还在所述平坦层上形成ITO电极，其中，所述平坦层上的过孔与所述钝化层上的过孔正对且位于所述漏极上方，所述ITO电极通过所述平坦层上的过孔以及所述钝化层上的过孔与所述漏极电性连接。

4.根据权利要求3所述的OLED背板的制备方法，其特征在于，还包括下述步骤：

在所述平坦层上形成像素定义层，且所述像素定义层覆盖所述ITO电极；

图形化所述像素定义层，使得所述ITO电极至少部分露出。

5.根据权利要求1所述的OLED背板的制备方法，其特征在于，所述缓冲层为至少一层SiOx和/或至少一层SiNx；

且所述缓冲层的厚度范围为1000~5000埃米。

6.根据权利要求1所述的OLED背板的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层为至少一层SiOx和/或至少一层SiNx；

且所述栅极绝缘层的厚度范围为1000~3000埃米。

7.根据权利要求1所述的OLED背板的制备方法，其特征在于，所述第一金属层和所述第二金属层均为Mo、Al、Cu、Ti、钼合金、铝合金、铜合金以及钛合金中的一种制成；

所述半导体层为金属氧化物半导体材料制成，所述金属氧化物半导体材料为IGZO、ITZO以及IGZTO中的一种。

8.一种OLED背板，其特征在于，包括缓冲层、位于所述缓冲层上的源极、漏极以及存储电容下电极，在所述源极和所述漏极之间设有半导体层，在所述半导体层上方设有栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上设有栅极和存储电容上电极。

9.根据权利要求8所述的OLED背板，其特征在于，所述缓冲层上设有钝化层，且所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极、所述栅极、所述存储电容上电极以及所述存储电容下电极；

所述钝化层上方设有平坦层，所述平坦层和所述钝化层上均设有过孔，所述平坦层上的过孔与所述钝化层上的过孔正对且位于所述漏极上方，所述平坦层上还设有ITO电极，所述ITO电极通过所述平坦层上的过孔以及所述钝化层上的过孔与所述漏极电性连接；

所述平坦层上设有像素定义层，所述像素定义层上设有缺口，所述缺口位于所述ITO电极上方。

10.根据权利要求9所述的OLED背板，其特征在于，所述缓冲层为至少一层SiOx和/或至少一层SiNx，且所述缓冲层的厚度范围为1000~5000埃米；

所述栅极绝缘层为至少一层SiOx和/或至少一层SiNx，且所述栅极绝缘层的厚度范围为1000~3000埃米；

所述栅极、所述源极以及所述漏极的材料均为Mo、Al、Cu、Ti、钼合金、铝合金、铜合金以及钛合金中的一种；

所述半导体层的材料为金属氧化物半导体材料，所述金属氧化物半导体材料为IGZO、ITZO以及IGZTO中的一种。