[发明专利]一种OLED背板及其制备方法

说明书

本发明提供一种OLED背板及其制备方法，该方法包括下述步骤：在玻璃基板上沉积缓冲层；在缓冲层上沉积第一金属层，图形化第一金属层，形成源极、漏极以及存储电容下电极；在缓冲层上沉积半导体层，且半导体层覆盖源极与漏极；在半导体层上沉积栅极绝缘层；在栅极绝缘层上沉积第二金属层，图形化第二金属层，形成栅极以及存储电容上电极；利用栅极自对准刻蚀栅极绝缘层和半导体层，将源极和漏极露出。本发明在制备OLED背板的过程中，可以减少所需的光罩，有效降低OLED背板的制作成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED背板及其制备方法。

背景技术

现有的OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)背板一般采用顶栅自对准结构(top gate self-aligned oxide)。如图1所示，OLED背板包括位于玻璃基板1’上的缓冲层2’，缓冲层2’上包含有半导体层3’、栅极绝缘层4’、栅极5’、层间绝缘层6’，源极8’和漏极9’通过层间绝缘层6’上的过孔与半导体层3’上的导体化区域31’电性连接，层间绝缘层6’上设置有钝化层7’，钝化层7’覆盖源极8’和漏极9’。

在制备上述的OLED背板时，需要5道光罩才能完成：使用第1道光罩，对半导体层3’进行图形化处理处理，得到图1中的图形；使用第2道光罩，对栅极金属层进行图形化处理，得到图1中栅极5’的图形；使用第3道光罩，对层间绝缘层6’进行图形化处理，得到过孔；使用第4道光罩，对源漏极金属层进行图形化处理，得到图1中的源极8’和漏极9’；使用第5道光罩，对钝化层进行图形化处理，得到过孔，以便在后续制程中，在钝化层上方的ITO电极可以通过过孔与漏极连接。

由于在制备OLED背板时，需要使用5道光罩才能完成，会提高OLED背板的制备成本，降低OLED背板的制备效率。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种OLED背板及其制备方法，在制备OLED背板的过程中，可以减少所需的光罩，有效降低OLED背板的制作成本。

本发明提供的一种OLED背板的制备方法，包括下述步骤：

在玻璃基板上沉积缓冲层；

在所述缓冲层上沉积第一金属层，图形化所述第一金属层，形成源极、漏极以及存储电容下电极；

在所述缓冲层上沉积半导体层，且所述半导体层覆盖所述源极与所述漏极；

在所述半导体层上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层，图形化所述第二金属层，形成栅极以及存储电容上电极；

利用所述栅极自对准刻蚀所述栅极绝缘层和所述半导体层，将所述源极和所述漏极露出。

优选地，还包括下述步骤：

在所述缓冲层上形成钝化层，且所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极、所述栅极、所述存储电容上电极以及所述存储电容下电极。

优选地，还包括下述步骤：

在所述钝化层上形成平坦层；

在所述平坦层和所述钝化层上均形成过孔，还在所述平坦层上形成ITO电极，其中，所述平坦层上的过孔与所述钝化层上的过孔正对且位于所述漏极上方，所述ITO电极通过所述平坦层上的过孔以及所述钝化层上的过孔与所述漏极电性连接。

优选地，还包括下述步骤：

在所述平坦层上形成像素定义层，且所述像素定义层覆盖所述ITO电极；

图形化所述像素定义层，使得所述ITO电极至少部分露出。

优选地，所述缓冲层为至少一层SiOx和/或至少一层SiNx；