[发明专利]一种IGBT取换方法及实施该方法的IGBT取换装置有效
| 申请号： | 201810007850.2 | 申请日： | 2018-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN108206152B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 胡四全;刘刚;姚志国;朱新华;肖晋;李申;谢云龙;宋全刚 | 申请（专利权）人： | 许继集团有限公司;国网甘肃省电力公司电力科学研究院;许继电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 胡晓东 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种IGBT取换方法及实施该方法的IGBT取换装置，IGBT取换方法主要采用以下步骤：（1）将IGBT压接阀段泄压以降低各零部件之间的预紧力到设定值，并保证各零部件之间相互压紧支撑；（2）撑开待取换的IGBT组件中的两侧散热器，将待取换的IGBT取出；（3）将合格的IGBT放置在对应的两侧散热器之间，撤掉对两侧散热器施加的撑开作用力；（4）对IGBT压接阀段加压以增加各零部件之间的预紧力到额定值，完成取换，保证在阀段整体稳定性的前提下，撑开故障的IGBT两侧的散热器，实现安全取出故障的IGBT而不对压接阀段中的其他零部件造成破坏，降低劳动强度的同时，提高工作效率，而且可靠性较高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 方法 实施 装置 | ||
【主权项】：
1.IGBT取换方法，其特征在于：该方法主要采用以下步骤：（1）将IGBT压接阀段泄压以降低各零部件之间的预紧力到设定值，并保证各零部件之间相互压紧支撑；（2）撑开待取换的IGBT组件中的两侧散热器，将待取换的IGBT取出；（3）将合格的IGBT放置在对应的两侧散热器之间，撤掉对两侧散热器施加的撑开作用力；（4）对IGBT压接阀段加压以增加各零部件之间的预紧力到额定值，完成取换。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于许继集团有限公司;国网甘肃省电力公司电力科学研究院;许继电气股份有限公司，未经许继集团有限公司;国网甘肃省电力公司电力科学研究院;许继电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810007850.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基板处理设备
- 下一篇：晶圆承载装置以及半导体设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
