[发明专利]利用空气间隔分离导电结构的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201810007078.4 | 申请日： | 2013-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN108054153B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 孙洛辰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L21/768;H01L23/532;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括基板、导电图案(例如，接触插塞)以及第一导电线和第二导电线(例如，位线)，该导电图案在基板的有源区上并具有在导电图案的相反的第一侧和第二侧上的相应的第一侧壁和第二侧壁，该第一导电线和第二导电线在基板上并在导电图案的第一侧和第二侧中的相应侧上且通过不对称的第一空气间隔和第二空气间隔与相应的第一侧壁和第二侧壁分离。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 空气 间隔 分离 导电 结构 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：基板，具有多个有源区；在所述基板上的第一导电线，所述第一导电线连接到所述多个有源区当中的第一有源区；第一导电插塞，连接到所述多个有源区当中的第二有源区，所述第二有源区相邻于所述第一有源区的一侧设置；第二导电插塞，连接到所述多个有源区当中的第三有源区，所述第三有源区相邻于所述第一有源区的另一侧设置；第一空气间隔，在所述第一导电线和所述第一导电插塞之间，所述第一空气间隔具有第一宽度；第二空气间隔，在所述第一导电线和所述第二导电插塞之间，所述第二空气间隔具有不同于所述第一宽度的第二宽度；以及着陆焊盘，连接到所述第一导电插塞，所述着陆焊盘覆盖所述第一空气间隔。
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