[发明专利]利用空气间隔分离导电结构的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

基板，具有多个有源区；

在所述基板上的第一导电线，所述第一导电线连接到所述多个有源区当中的第一有源区；

第一导电插塞，连接到所述多个有源区当中的第二有源区，所述第二有源区相邻于所述第一有源区的一侧设置；

第二导电插塞，连接到所述多个有源区当中的第三有源区，所述第三有源区相邻于所述第一有源区的另一侧设置；

第一空气间隔，在所述第一导电线和所述第一导电插塞之间，所述第一空气间隔具有第一宽度；

第二空气间隔，在所述第一导电线和所述第二导电插塞之间，所述第二空气间隔具有不同于所述第一宽度的第二宽度；以及

着陆焊盘，连接到所述第一导电插塞，所述着陆焊盘覆盖所述第一空气间隔。

2.如权利要求1所述的器件，其中所述第二有源区具有面对所述第一导电线的第一侧的第一凹入上部拐角，所述第一导电插塞通过所述第一凹入上部拐角连接到所述第二有源区。

3.如权利要求1所述的器件，其中所述第三有源区具有面对所述第一导电线的第二侧的第二凹入上部拐角，所述第二导电插塞通过所述第二凹入上部拐角连接到所述第三有源区。

4.如权利要求1所述的器件，还包括：

在所述第一导电插塞和所述第一空气间隔之间的第一绝缘膜；

在所述第一空气间隔和所述第一导电线之间的第二绝缘膜；

在所述第一导电线和所述第二空气间隔之间的第三绝缘膜；以及

在所述第二空气间隔和所述第二导电插塞之间的第四绝缘膜。

5.如权利要求4所述的器件，其中所述第一绝缘膜的高度不同于所述第四绝缘膜的高度，所述第二绝缘膜的高度不同于所述第三绝缘膜的高度。

6.如权利要求1所述的器件，其中所述第一导电线包括延伸到所述基板中以接触所述第一有源区的接触。

7.如权利要求1所述的器件，其中所述第一导电插塞包括延伸到所述基板中的第一下部分，所述第一下部分接触所述第二有源区，以及

其中所述第二导电插塞包括延伸到所述基板中的第二下部分，所述第二下部分接触所述第三有源区。

8.如权利要求7所述的器件，还包括限定所述多个有源区的隔离区，

其中所述第一导电插塞的所述第一下部分接触在所述第一有源区和所述第二有源区之间的所述隔离区，以及

其中所述第二导电插塞的所述第二下部分接触在所述第一有源区和所述第三有源区之间的所述隔离区。

9.如权利要求8所述的器件，还包括：

在所述第一空气间隔和所述隔离区之间的第一绝缘图案；以及

在所述第二空气间隔和所述隔离区之间的第二绝缘图案，

其中所述第一导电插塞接触所述第一绝缘图案，以及

其中所述第二导电插塞接触所述第二绝缘图案。

10.如权利要求1所述的器件，还包括：

限定所述多个有源区的隔离区；

在所述基板上的第二导电线，所述第二导电线面对所述第一导电线并且所述第二导电插塞夹置在所述第一导电线和所述第二导电线之间；以及

夹置在第二导电线和所述隔离区的局部隔离区之间的绝缘图案，所述局部隔离区具有接触所述第三有源区的侧壁。

11.如权利要求1所述的器件，其中所述第一导电线的顶表面延伸低于所述第一空气间隔的第一顶部的第一水平并且低于所述第二空气间隔的第二顶部的第二水平。

12.如权利要求11所述的器件，还包括限定所述第二空气间隔的所述第二顶部的盖层。

13.如权利要求1所述的器件，其中所述着陆焊盘与所述第二空气间隔垂直地未对准从而没有覆盖所述第二空气间隔的至少一部分。