[发明专利]显示面板及其制作方法和显示装置在审
| 申请号： | 201810002011.1 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN108172587A | 公开（公告）日： | 2018-06-15 |
| 发明（设计）人： | 楼均辉 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 201201 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种显示面板及其制作方法和显示装置。显示面板，包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极、源极、漏极以及半导体层，其中，至少一个栅极包括相互层叠设置的第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极远离半导体层一侧，其中，第二栅极包覆第一栅极，在垂直于显示面板的方向上，第一栅极的投影位于第二栅极的投影之内，并且，第二栅极的导电率小于第一栅极的导电率。本发明减少了寄生电容，提高了薄膜晶体管器件稳定性。 1 | ||
| 搜索关键词： | 显示面板 薄膜晶体管 半导体层 显示装置 导电率 投影 薄膜晶体管器件 层叠设置 寄生电容 包覆 漏极 源极 制作 垂直 | ||
至少一个所述栅极包括相互层叠设置的第一栅极和第二栅极，所述第二栅极位于所述第一栅极远离所述半导体层一侧，其中，
所述第二栅极包覆所述第一栅极，在垂直于所述显示面板的方向上，所述第一栅极的投影位于所述第二栅极的投影之内，并且，所述第二栅极的导电率小于所述第一栅极的导电率。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层包括沟道区、源极区和漏极区，所述源极区、所述沟道区和所述漏极区沿第一方向上依次排列，
在垂直于所述显示面板的方向上，所述第二栅极在所述半导体层的投影覆盖所述沟道区；
沿所述第一方向上，所述第一栅极的长度小于所述第二栅极的长度。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿所述第一方向上，所述第一栅极的长度比所述第二栅极的长度小0.6～2μm。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述栅极的制作材料包括钴、钼、钛、银或铝。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述栅极的制作材料经氧等离子体处理后形成所述第二栅极。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿垂直于所述显示面板的方向上，所述栅极的厚度大于等于0.5μm，且小于等于2μm。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层的制作材料为氧化物半导体材料。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极为绝缘性材料，导电率约为零。9.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：
栅极绝缘层，位于所述栅极和所述半导体层之间；
层间绝缘层，位于所述栅极之上，
所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘层之上，所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述源极区和所述漏极区连接。
10.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括多个薄膜晶体管，所述制作方法包括：制作所述薄膜晶体管的半导体层；
制作所述薄膜晶体管的栅极，所述栅极包括相互层叠设置的第一栅极和第二栅极，所述第二栅极位于所述第一栅极远离所述半导体层一侧，所述第二栅极包覆所述第一栅极，在垂直于所述显示面板的方向上，所述第一栅极的投影位于所述第二栅极的投影之内，其中，所述第二栅极的导电率小于所述第一栅极的导电率；
制作所述薄膜晶体管的源极和漏极。
11.根据权利要求10所述的显示面板的制作方法，其特征在于，制作所述薄膜晶体管的半导体层的步骤进一步包括：所述半导体层包括沟道区、源极区和漏极区，所述源极区、所述沟道区和所述漏极区沿第一方向上依次排列；
制作所述薄膜晶体管的栅极的步骤进一步包括：在垂直于所述显示面板的方向上，所述第二栅极在所述半导体层的投影覆盖所述沟道区，沿所述第一方向上，所述第一栅极的长度小于所述第二栅极的长度。
12.根据权利要求10所述的显示面板的制作方法，其特征在于，制作所述薄膜晶体管的栅极的步骤进一步包括：
制作栅极金属薄膜，对所述栅极金属薄膜进行刻蚀形成所述薄膜晶体管的栅极；
对所述栅极进行氧化处理，所述栅极远离所述半导体层的表面经氧化后形成所述第二栅极，所述栅极中没有发生氧化的部分形成所述第一栅极。
13.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述栅极金属薄膜的制作材料包括钴、钼、钛、银或铝。
14.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述氧化处理为氧等离子体处理。
15.根据权利要求12所述的显示面板的制作方法，其特征在于，对所述栅极进行氧化处理的步骤之前，所述制作方法还包括：
涂覆光刻胶，经曝光显影工艺后暴露所述栅极，所述源极区和所述漏极区被所述光刻胶覆盖；
对所述栅极进行氧化处理的步骤之后，所述制作方法还包括：
去除所述光刻胶，暴露所述源极区和所述漏极区。
16.根据权利要求15所述的显示面板的制作方法，其特征在于，制作所述薄膜晶体管的半导体层的步骤之后，所述制作方法包括：
在所述半导体层之上制作栅极绝缘层；
对所述栅极进行氧化处理的步骤之后，所述制作方法还包括：对所述源极区和所述漏极区进行导电化处理；
在所述栅极之上制作层间绝缘层，刻蚀所述层间绝缘层形成过孔；
在所述层间绝缘层之上制作所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述源极区和所述漏极区连接。
17.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至9任一项所述的显示面板。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马微电子有限公司，未经上海天马微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
