[发明专利]显示面板及其制作方法和显示装置

说明书

本发明公开了一种显示面板及其制作方法和显示装置。显示面板，包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极、源极、漏极以及半导体层，其中，至少一个栅极包括相互层叠设置的第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极远离半导体层一侧，其中，第二栅极包覆第一栅极，在垂直于显示面板的方向上，第一栅极的投影位于第二栅极的投影之内，并且，第二栅极的导电率小于第一栅极的导电率。本发明减少了寄生电容，提高了薄膜晶体管器件稳定性。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板及其制作方法和显示装置。

背景技术

目前显示面板主要包括两大类：LCD显示面板(Liquid Crystal Display，液晶显示面板)和OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板。在显示面板技术中，TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)是显示面板的核心部件，一般呈阵列排布制作在基板上，作为显示面板像素单元的开关器件。薄膜晶体管包括：栅极、源极、漏极和有源层，源极和漏极分别与有源层连接，当对栅极施加电压后，随着栅极电压增加，有源层表面将由耗尽层转变为电子积累层，形成反型层，当达到强反型时(即达到开启电压时)，有源层有载流子移动实现源极和漏极之间的导通。就结构而言，根据栅极的位置，薄膜晶体管通常分为顶栅和底栅两种结构。

薄膜晶体管中有源层的制作材料包括非晶硅材料、多晶硅材料、氧化物半导体材料等，其中，氧化物半导体薄膜晶体管成为驱动超高精细液晶面板、有机发光显示面板以及电子纸等新一代显示器的薄膜晶体管材料最佳候选之一。氧化物半导体薄膜晶体管与非晶硅材料或者多晶硅材料薄膜晶体管相比，具有较低的关态电流，有利于减少存储电容、降低功耗。

顶栅结构的氧化物半导体薄膜晶体管中，在栅极和栅极绝缘层刻蚀后，需对栅极和栅极绝缘层没有覆盖的氧化物半导体层进行等离子处理，使非沟道区域的氧化物导电化，但是导电化处理后，由于离子扩散等原因，在沟道区域的氧化物半导体的也会被部分导电化，增加了栅极和源漏极间的寄生电容，从而影响薄膜晶体管器件稳定性。

因此，基于以上问题，提供一种显示面板及其制作方法和显示装置提高薄膜晶体管器件稳定性，进而提高显示面板和显示装置的性能可靠性，是本领域亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种显示面板及其制作方法和显示装置，解决了提高薄膜晶体管器件稳定性的技术问题。

第一方面，为了解决上述技术问题，本发明提出一种显示面板，包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：栅极、源极、漏极以及半导体层，其中，

至少一个栅极包括相互层叠设置的第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极远离半导体层一侧，其中，第二栅极包覆第一栅极，在垂直于显示面板的方向上，第一栅极的投影位于第二栅极的投影之内，并且，第二栅极的导电率小于第一栅极的导电率。

第二方面，为了解决上述技术问题，本发明提出一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括多个薄膜晶体管，制作方法包括：

制作薄膜晶体管的半导体层；

制作薄膜晶体管的栅极，栅极包括相互层叠设置的第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极远离半导体层一侧，第二栅极包覆第一栅极，在垂直于显示面板的方向上，第一栅极的投影位于第二栅极的投影之内，其中，第二栅极的导电率小于第一栅极的导电率；

制作薄膜晶体管的源极和漏极。

第三方面，为了解决上述技术问题，本发明提出一种显示装置，包括本发明提出的任意一种显示面板。

与现有技术相比，本发明的显示面板及其制作方法和显示装置，实现了如下的有益效果：