[发明专利]显示面板及其制作方法和显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极、源极、漏极以及半导体层，其中，

至少一个所述栅极包括相互层叠设置的第一栅极和第二栅极，所述第二栅极位于所述第一栅极远离所述半导体层一侧，其中，

所述第二栅极包覆所述第一栅极，在垂直于所述显示面板的方向上，所述第一栅极的投影位于所述第二栅极的投影之内，并且，所述第二栅极的导电率小于所述第一栅极的导电率。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述半导体层包括沟道区、源极区和漏极区，所述源极区、所述沟道区和所述漏极区沿第一方向上依次排列，

在垂直于所述显示面板的方向上，所述第二栅极在所述半导体层的投影覆盖所述沟道区；

沿所述第一方向上，所述第一栅极的长度小于所述第二栅极的长度。

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

沿所述第一方向上，所述第一栅极的长度比所述第二栅极的长度小0.6～2μm。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述栅极的制作材料包括钴、钼、钛、银或铝。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，

所述栅极的制作材料经氧等离子体处理后形成所述第二栅极。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

沿垂直于所述显示面板的方向上，所述栅极的厚度大于等于0.5μm，且小于等于2μm。

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述半导体层的制作材料为氧化物半导体材料。

8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二栅极为绝缘性材料，导电率约为零。

9.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述薄膜晶体管还包括：

栅极绝缘层，位于所述栅极和所述半导体层之间；

层间绝缘层，位于所述栅极之上，

所述源极和所述漏极位于所述层间绝缘层之上，所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述源极区和所述漏极区连接。

10.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括多个薄膜晶体管，所述制作方法包括：

制作所述薄膜晶体管的半导体层；

制作所述薄膜晶体管的栅极，所述栅极包括相互层叠设置的第一栅极和第二栅极，所述第二栅极位于所述第一栅极远离所述半导体层一侧，所述第二栅极包覆所述第一栅极，在垂直于所述显示面板的方向上，所述第一栅极的投影位于所述第二栅极的投影之内，其中，所述第二栅极的导电率小于所述第一栅极的导电率；

制作所述薄膜晶体管的源极和漏极。

11.根据权利要求10所述的显示面板的制作方法，其特征在于，

制作所述薄膜晶体管的半导体层的步骤进一步包括：所述半导体层包括沟道区、源极区和漏极区，所述源极区、所述沟道区和所述漏极区沿第一方向上依次排列；

制作所述薄膜晶体管的栅极的步骤进一步包括：在垂直于所述显示面板的方向上，所述第二栅极在所述半导体层的投影覆盖所述沟道区，沿所述第一方向上，所述第一栅极的长度小于所述第二栅极的长度。

12.根据权利要求10所述的显示面板的制作方法，其特征在于，

制作所述薄膜晶体管的栅极的步骤进一步包括：

制作栅极金属薄膜，对所述栅极金属薄膜进行刻蚀形成所述薄膜晶体管的栅极；

对所述栅极进行氧化处理，所述栅极远离所述半导体层的表面经氧化后形成所述第二栅极，所述栅极中没有发生氧化的部分形成所述第一栅极。