[发明专利]曝光方法、UV掩膜板及其制备方法在审
申请号: | 201810001799.4 | 申请日: | 2018-01-02 |
公开(公告)号: | CN108051981A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 廖建;李超 | 申请(专利权)人: | 成都天马微电子有限公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F7/20 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力;王宝筠 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种曝光方法、UV掩膜板及其制备方法,其中,所述UV掩膜板的制备方法利用在制备显示面板的过程中必需的黑矩阵掩膜板来进行UV掩膜板的制备,通过在基板上依次形成第一覆盖图形、第二覆盖图形、第三覆盖图形和第四覆盖图形以形成能够完全覆盖显示面板的显示区域的UV掩膜板,所述UV掩膜板的制备方法在制备UV掩膜板的过程中无需新开专用的掩膜板,降低了UV掩膜板的制备成本,也避免了由于新开掩膜板而造成的资源浪费。 | ||
搜索关键词: | 曝光 方法 uv 掩膜板 及其 制备 | ||
【主权项】:
1.一种UV掩膜板的制备方法,其特征在于,包括:提供基板;在所述基板表面形成第一遮光材料层,在所述第一遮光材料层表面的第一图形位置上设置黑矩阵掩膜板,并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第一遮光材料层进行处理,以在所述基板表面形成第一覆盖图形;在所述第一覆盖图形表面形成第二遮光材料层,在所述第二遮光材料层表面的第二图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板,所述第二图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第一方向移动第一预设距离后的位置重合,并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第二遮光材料层进行处理,以在所述基板表面形成第二覆盖图形;在所述第二覆盖图形表面形成第三遮光材料层,在所述第三遮光材料层表面的第三图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板,所述第三图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第二方向移动第二预设距离后的位置重合,并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第三遮光材料层进行处理,以在所述基板表面形成第三覆盖图形;所述第一方向与所述显示面板像素的长边或短边平行,所述第二方向与所述显示面板像素的另一边平行;在所述第三覆盖图形表面形成第四遮光材料层,在所述第四遮光材料层表面的第四图形位置上设置所述黑矩阵掩膜板,所述第四图形位置在基板上的投影位置与所述第一图形位置在基板上的投影位置向第三方向移动第三预设距离后的位置重合,并以所述黑矩阵掩膜板为掩膜对所述第四遮光材料层进行处理,以在所述基板表面形成第四覆盖图形,所述第三方向与所述第一方向和第二方向均相交;所述第一覆盖图形、第二覆盖图形、第三覆盖图形和第四覆盖图形重叠构成所述UV掩膜板。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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