[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201780096691.1 | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN111344856B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 细见刚 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置具有：半导体器件(2)，其在半导体芯片(1)的主面具有电极以及配线；第1树脂构造体(A)，其配置于该半导体芯片(1)的主面侧，在所述半导体器件(2)的特定的电极(3)的侧方以及上方，与该特定的电极(3)之间构成中空构造(8)；第2树脂构造体(B)，其将所述第1树脂构造体(A)的外侧覆盖，介电常数小于或等于该第1树脂构造体(A)；以及绝缘膜(11)，其将所述第2树脂构造体(B)的外侧覆盖，透湿性小于该第2树脂构造体(B)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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