[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

半导体装置具有：半导体器件(2)，其在半导体芯片(1)的主面具有电极以及配线；第1树脂构造体(A)，其配置于该半导体芯片(1)的主面侧，在所述半导体器件(2)的特定的电极(3)的侧方以及上方，与该特定的电极(3)之间构成中空构造(8)；第2树脂构造体(B)，其将所述第1树脂构造体(A)的外侧覆盖，介电常数小于或等于该第1树脂构造体(A)；以及绝缘膜(11)，其将所述第2树脂构造体(B)的外侧覆盖，透湿性小于该第2树脂构造体(B)。

技术领域

本发明涉及在半导体器件的电极的周围具有中空构造的半导体装置及其制造方法。

背景技术

为了实现半导体装置的高集成化和小型化，使用在半导体芯片之上反复层叠树脂膜和金属配线的多层配线构造。但是，由于树脂膜，例如场效应晶体管(简称为FET。下面相同)的栅极与源极间、或者栅极与漏极间的寄生电容增加，半导体器件的高频特性劣化。

另外，就将半导体芯片收容于封装体而没有使用多层配线的构造的半导体装置而言，为了小型化、低价格化，有时与在陶瓷等绝缘体的中空容器内搭载半导体芯片的构造相比，优选通过树脂模塑而封装了半导体芯片的封装体构造，但如果与中空封装的情况相比，则由于树脂模塑封装所用的树脂的介电常数而使寄生电容(与杂散电容相同。下面相同)增加，产生增益等高频特性的劣化。

因此，为了改善上述高频特性的劣化，提出了通过在半导体芯片之上形成中空构造而抑制寄生电容的增加的构造的半导体装置(例如，参照专利文献1、专利文献2)。

半导体芯片之上的中空构造例如通过如下等工序形成，即，(a)在半导体基板的主面形成了FET后，(b)在该半导体基板的主面之上，形成不与FET的栅极电极接触、将栅极电极的侧方包围的第1树脂层，(c)然后使不与栅极电极接触、将栅极电极的上方覆盖的第2树脂层与第1树脂层的上表面接合而形成中空构造，然后进行加热处理使树脂构造固化，(d)通过透湿性比形成中空构造的树脂小的绝缘膜将中空构造覆盖，提高中空构造的耐湿性。

专利文献1：日本特开平5-335343号公报

专利文献2：日本特开2016-39319号公报

发明内容

就中空构造的形成而言，在使第2树脂层与第1树脂层之上接合(参照上述(c)所示的工序)时的压力弱或者不均匀的情况下，存在贴合性变弱的课题。在贴合性弱的部分，接合剥离而形成水分向中空构造内的侵入路径，存在使半导体器件的耐湿性劣化的问题。

另外，在将该半导体芯片搭载于封装体的情况下，在高温高压下进行树脂模塑封装时，存在贴合性弱的部分被破坏、模塑树脂侵入至中空构造内的问题。

本发明就是为了解决上述课题而提出的，目的在于针对在半导体芯片之上具有中空构造的半导体装置，得到防止耐湿性的劣化或者中空构造的破坏的构造的半导体装置以及其制造方法。

本发明所涉及的半导体装置的特征在于，具有：半导体器件，其在半导体芯片的主面具有电极以及配线；第1树脂构造体，其以与所述半导体器件的特定的电极隔开空间而将该特定的电极的侧方以及上方覆盖的方式配置于所述半导体芯片的主面侧；第2树脂构造体，其与所述第1树脂构造体的侧方以及上方相接并且将所述第1树脂构造体的外侧覆盖，介电常数小于或等于该第1树脂构造体；以及绝缘膜，其将所述第2树脂构造体的外侧覆盖，透湿性小于该第2树脂构造体。

发明的效果

本发明的半导体装置通过不与电极接触的树脂构造体形成中空构造，通过介电常数小于或等于构成该中空构造的树脂构造体的树脂将该树脂构造体的中空构造的外侧覆盖，因此，不会发生树脂构造体的接合剥离而形成水分向中空构造内的侵入路径这样的情况，能够防止半导体器件的耐湿性的劣化或者中空构造的破坏。另外，由于能够降低电极与配线间的寄生电容，因此能够提高半导体装置的高频特性。

附图说明