[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体器件，其在半导体芯片的主面具有电极以及配线；

第1树脂构造体，其以与所述半导体器件的特定的电极隔开空间而将该特定的电极的侧方以及上方覆盖的方式配置于所述半导体芯片的主面侧；

第2树脂构造体，其与所述第1树脂构造体的侧方以及上方相接并且将所述第1树脂构造体的外侧覆盖，介电常数小于或等于该第1树脂构造体；以及

绝缘膜，其将所述第2树脂构造体的外侧覆盖，透湿性小于该第2树脂构造体。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

多层的配线设置于所述第2树脂构造体的上方。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体器件、所述第1树脂构造体、所述第2树脂构造体以及所述绝缘膜全部被环氧类热固化树脂体封装而封装体化。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2树脂构造体以及所述绝缘膜的外侧被第3树脂构造体覆盖，该第3树脂构造体由介电常数小于或等于所述第1树脂构造体以及所述第2树脂构造体的树脂构成。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述特定的电极包含檐，所述特定的电极的剖面为Y型形状或者T型形状，并且所述特定的电极在所述檐的下部具有包含其他空间的中空构造。

6.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体器件，其在半导体芯片的主面具有电极以及配线；

第1树脂构造体，其以与所述半导体器件的特定的电极隔开空间而将该特定的电极的侧方以及上方覆盖的方式配置于所述半导体芯片的主面侧；

绝缘膜，其与所述第1树脂构造体的侧方以及上方相接并且将所述第1树脂构造体的外侧覆盖，透湿性小于所述第1树脂构造体；以及

第2树脂构造体，其将所述第1树脂构造体以及所述绝缘膜的外侧覆盖，介电常数小于或等于所述第1树脂构造体。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体器件、所述第1树脂构造体、所述第2树脂构造体以及所述绝缘膜全部被环氧类热固化树脂体封装而封装体化。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2树脂构造体以及所述绝缘膜的外侧被第3树脂构造体覆盖，该第3树脂构造体由介电常数小于或等于所述第1树脂构造体以及所述第2树脂构造体的树脂构成。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述特定的电极包含檐，所述特定的电极的剖面为Y型形状或者T型形状，并且所述特定的电极在所述檐的下部具有包含其他空间的中空构造。

10.一种半导体装置的制造方法，其是权利要求1或8所述的半导体装置的制造方法，

其特征在于，包含以下工序：

在半导体基板的主面形成具有电极以及配线的半导体器件；

在半导体基板的主面侧形成第1树脂层，该第1树脂层非接触地将所述半导体器件的特定的电极的侧方包围；

使在所述特定的电极的上方配置的第2树脂层在与所述第1树脂层的上表面接合后固化，与所述特定的电极隔开空间地配置；

在所述第1树脂层以及所述第2树脂层的上方和侧方，通过介电常数比所述第1树脂层以及所述第2树脂层的树脂低的树脂，形成第3树脂层；以及

通过透湿性比该第3树脂层小的绝缘膜将所述第3树脂层的上表面和侧面覆盖。

11.一种半导体装置的制造方法，其是权利要求6所述的半导体装置的制造方法，

其特征在于，包含以下工序：

在半导体基板的主面形成具有电极以及配线的半导体器件；

在半导体基板的主面侧形成第1树脂层，该第1树脂层非接触地将所述半导体器件的特定的电极的侧方包围；

使在所述特定的电极的上方配置的第2树脂层在与所述第1树脂层的上表面接合后固化，与所述特定的电极隔开空间地配置；

通过透湿性比所述第1树脂层以及所述第2树脂层小的绝缘膜将所述第1树脂层以及所述第2树脂层的上方和侧方覆盖；以及

通过介电常数小于或等于所述第1树脂层以及所述第2树脂层的树脂将所述绝缘膜的外侧覆盖。