[发明专利]利用绝缘结构施加晶体管沟道应力的设备、方法和系统在审
| 申请号： | 201780094409.6 | 申请日： | 2017-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN111033755A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | R.梅汉努 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于在使用绝缘体的晶体管上施加应力的技术和机构。在实施例中，集成电路设备包括在半导体衬底上的鳍部结构，其中两个晶体管的相应结构以各种方式处于鳍部结构中或鳍部结构上。位于两个晶体管之间的区域中的IC设备的凹陷至少部分地延伸穿过鳍部结构。凹陷中的绝缘体在两个晶体管的相应沟道区域上施加应力。在另一个实施例中，利用鳍部结构下方的绝缘体和缓冲层两者在晶体管上施加压缩应力或拉伸应力。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 绝缘 结构 施加 晶体管 沟道 应力 设备 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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