[发明专利]利用绝缘结构施加晶体管沟道应力的设备、方法和系统

权利要求书

1.一种集成电路（IC）设备，包括：

缓冲层；

第一鳍部结构，其被设置在所述缓冲层上，所述第一鳍部结构包括：

第一晶体管的第一沟道区域；以及

第二晶体管的第二沟道区域；

凹陷结构，其形成在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的区域中，其中所述凹陷结构在所述第一鳍部结构下方延伸或至少部分地延伸穿过所述第一鳍部结构；以及

绝缘体，其被设置在所述凹陷结构中，其中所述第一沟道区域和所述第二沟道区域上的相应应力均是利用所述缓冲层和所述绝缘体两者来施加的。

2.根据权利要求1所述的IC设备，其中所述第一沟道区域和所述第二沟道区域上的相应压缩应力均是利用所述缓冲层和所述绝缘体两者来施加的。

3.根据权利要求1所述的IC设备，其中所述第一沟道区域和所述第二沟道区域上的相应拉伸应力均是利用所述缓冲层和所述绝缘体两者来施加的。

4.根据权利要求1所述的IC设备，其中所述凹陷结构完全延伸穿过所述第一鳍部结构。

5.根据权利要求1所述的IC设备，其中所述凹陷结构延伸到所述缓冲层。

6.根据权利要求1所述的IC设备，其中所述绝缘体邻接所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个的源极/漏极区域。

7.根据权利要求1所述的IC设备，进一步包括设置在所述缓冲层上的第二鳍部结构，其中所述凹陷结构和所述绝缘体均在所述第二鳍部结构下方延伸或至少部分地延伸穿过所述第二鳍部结构。

8.一种方法，包括：

在缓冲层上形成第一鳍部结构；

在所述第一鳍部结构中形成：

第一晶体管的第一沟道区域；以及

第二晶体管的第二沟道区域；

在所述第一晶体管与所述第二晶体管之间的区域中形成凹陷结构，其中所述凹陷在所述第一鳍部结构下方延伸或至少部分地延伸穿过所述第一鳍部结构；以及

在所述凹陷结构中形成绝缘体，其中所述第一沟道区域和所述第二沟道区域上的相应应力均是利用所述缓冲层和所述绝缘体两者来施加的。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一沟道区域和所述第二沟道区域上的相应压缩应力均是利用所述缓冲层和所述绝缘体两者来施加的。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述绝缘体包括氮化物。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一沟道区域和所述第二沟道区域上的相应拉伸应力均是利用所述缓冲层和所述绝缘体两者来施加的。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述绝缘体包括氧化物。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述凹陷结构完全延伸穿过所述第一鳍部结构。

14.根据权利要求8所述的方法，其中所述凹陷结构延伸到所述缓冲层。

15.根据权利要求8所述的方法，其中所述绝缘体邻接所述第一晶体管和所述第二晶体管中的一个的源极/漏极区域。

16.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：第二鳍部结构被设置在所述缓冲层上，其中所述凹陷结构和所述绝缘体均在所述第二鳍部结构下方延伸或至少部分地延伸穿过所述第二鳍部结构。

17.根据权利要求8所述的方法，其中形成所述绝缘体包括：

在所述凹陷结构中沉积绝缘材料；以及

在所述沉积之后，对所述绝缘材料进行掺杂以引起压缩应力。