[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201780089190.0 | 申请日： | 2017-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN110537302B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 河原弘幸 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及的半导体装置的特征在于，具备：衬底；半导体激光器部，其形成于该衬底之上，具有相同组成的有源层和第1脊构造；以及相邻部，其是光调制器或者光波导，形成于该衬底之上，具有相同组成的芯层和第2脊构造，该相邻部与该半导体激光器部接触。并且，该第1脊构造在与该第2脊构造接触的第1接触部处宽度最大，该第2脊构造在与该第1脊构造接触的第2接触部处宽度最大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n衬底；/n半导体激光器部，其形成于所述衬底之上，具有相同组成的有源层和第1脊构造；以及/n相邻部，其是光调制器或者光波导，形成于所述衬底之上，具有相同组成的芯层和第2脊构造，该相邻部与所述半导体激光器部接触，/n所述第1脊构造在与所述第2脊构造接触的第1接触部处宽度最大，所述第2脊构造在与所述第1脊构造接触的第2接触部处宽度最大。/n
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