[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

衬底；

半导体激光器部，其形成于所述衬底之上，具有相同组成的有源层和第1脊构造；以及

相邻部，其是光调制器或者光波导，形成于所述衬底之上，具有相同组成的芯层和第2脊构造，该相邻部与所述半导体激光器部接触，

所述第1脊构造在与所述第2脊构造接触的第1接触部处宽度最大，所述第2脊构造在与所述第1脊构造接触的第2接触部处宽度最大，

所述第1脊构造和所述第2脊构造的导电型在所述第1接触部和所述第2接触部的端部是第1导电型，在除此以外的部分是第2导电型。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1脊构造和所述第2脊构造的第2导电型的部分的宽度恒定。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1导电型是n型，所述第2导电型是p型，所述第1导电型的部分的作为n型杂质的n型半导体的掺杂密度大于或等于1E+18cm^-3。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1接触部和所述第2接触部的端部掺杂了Si、S、Se或者Te。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备：

成膜工序，在衬底之上形成相邻地设置了有源层和芯层的多层构造；

掩模工序，在所述多层构造之上形成掩模，该掩模具有所述有源层的正上方的第1部分、所述芯层的正上方的第2部分、以及将所述第1部分与所述第2部分连接的边界部分，该边界部分设置于所述有源层与所述芯层的边界正上方，与所述第1部分和所述第2部分相比宽度大；以及

蚀刻工序，对所述多层构造中从所述掩模露出的部分直至所述有源层或者所述芯层露出为止地进行蚀刻，

刚完成所述成膜工序后的所述有源层和所述芯层是第2导电型，

在所述成膜工序之后，在所述掩模工序之前，具备使在俯视观察时包含所述有源层与所述芯层的边界的边界区域的两端的所述有源层和所述芯层变为第1导电型的导电型变更工序，

所述掩模的所述边界部分覆盖所述边界区域的两端，在所述蚀刻工序中，对从所述掩模露出的所述有源层和所述芯层进行蚀刻。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述导电型变更工序中，向所述边界区域的两端注入第1导电型的杂质。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述导电型变更工序中，向所述边界区域的两端进行第1导电型的杂质的扩散。

8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具备以下工序：

在衬底之上，形成半导体激光器部以及相邻部，该半导体激光器部具有第2导电型的第1脊构造，该相邻部是光调制器或者光波导，具有第2导电型的第2脊构造，该相邻部与所述半导体激光器部接触；以及

在所述半导体激光器部与所述相邻部的边界正上方，通过掺杂了第1导电型的杂质的外延生长而形成与所述第1脊构造和所述第2脊构造接触的加强用脊。