[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法

说明书

本发明涉及的半导体装置的特征在于，具备：衬底；半导体激光器部，其形成于该衬底之上，具有相同组成的有源层和第1脊构造；以及相邻部，其是光调制器或者光波导，形成于该衬底之上，具有相同组成的芯层和第2脊构造，该相邻部与该半导体激光器部接触。并且，该第1脊构造在与该第2脊构造接触的第1接触部处宽度最大，该第2脊构造在与该第1脊构造接触的第2接触部处宽度最大。

技术领域

本发明涉及在同一衬底具有半导体激光器部和光调制器或者光波导的半导体装置及该半导体装置的制造方法。

背景技术

由于与光通信网络的大容量化相伴的要求，将半导体激光器部和光调制器或者光波导集成于同一衬底的半导体装置的使用正在增加。就集成了多个功能的光元件而言，每个功能需要不同的晶体构造。为了形成这样的光元件，大多采用重复进行使用了绝缘膜掩模的局部蚀刻和再生长的方法。

在专利文献1中，公开了针对在同一衬底之上具有脊型波导和高台面型波导的半导体光集成元件，使在波导的边界产生的光的反射降低的技术。在专利文献1中，以使得与光调制器部相比半导体激光器部更高的方式设置在台面条带的两外侧延伸的面的高度。

专利文献1：日本特开2008-066703号公报

发明内容

有时在1个衬底形成半导体激光器部以及光调制器或者光波导。为了便于说明，将光调制器或者光波导称为“相邻部”。在使半导体激光器部和相邻部为脊型的情况下，该脊型的构造容易受到绝缘膜或者金属等的应力的影响。因此，存在以下问题，即，应力集中于将半导体激光器部与相邻部对接地接合的耦合部，使半导体装置的初始特性或者长期可靠性恶化。

例如，就半导体激光器部和EA调制器部分而言，最适当的波导宽度不同，因此需要在两者的耦合部的前后使脊宽度变化。另外，就半导体激光器部和EA调制器部分而言，形成脊时的蚀刻深度即所谓的脊深度不同，因此在两者的耦合部产生台阶。这样，当在耦合部处波导宽度变化亦或在耦合部设置了台阶时，应力特别是容易集中于耦合部，。

本发明就是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供能够抑制向半导体激光器部与光调制器或者光波导之间的耦合部的应力集中的半导体装置及该半导体装置的制造方法。

本发明涉及的半导体装置的特征在于，具备：衬底；半导体激光器部，其形成于该衬底之上，具有相同组成的有源层和第1脊构造；以及相邻部，其是光调制器或者光波导，形成于该衬底之上，具有相同组成的芯层和第2脊构造，该相邻部与该半导体激光器部接触，该第1脊构造在与该第2脊构造接触的第1接触部处宽度最大，该第2脊构造在与该第1脊构造接触的第2接触部处宽度最大。

本发明涉及的半导体装置的制造方法的特征在于，具备：成膜工序，在衬底之上形成相邻地设置了有源层和芯层的多层构造；掩模工序，在该多层构造之上形成掩模，该掩模具有该有源层的正上方的第1部分、该芯层的正上方的第2部分、以及将该第1部分与该第2部分连接的边界部分，该边界部分设置于该有源层与该芯层的边界正上方，与该第1部分和该第2部分相比宽度大；以及蚀刻工序，对该多层构造中从该掩模露出的部分直至该有源层或者该芯层露出为止地进行蚀刻。

本发明涉及的其他半导体装置的制造方法的特征在于，具备以下工序：在衬底之上，形成半导体激光器部以及相邻部，该半导体激光器部具有第2导电型的第1脊构造，该相邻部是光调制器或者光波导，具有第2导电型的第2脊构造，该相邻部与该半导体激光器部接触；以及在该半导体激光器部与该相邻部的边界正上方，通过掺杂了第1导电型的杂质的外延生长而形成与该第1脊构造和该第2脊构造接触的加强用脊。

本发明的其它特征在下面得以明确。

发明的效果

根据本发明，通过在半导体激光器部与光调制器或者光波导之间的耦合部形成宽度大的脊，从而能够抑制向该耦合部的应力集中。

附图说明