[发明专利]半导体器件封装以及用于生产该半导体器件封装的方法在审

专利信息
申请号: 201780076443.0 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN110050395A 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 金伯俊;姜镐在;姜熙成;李建和;李容京 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/026
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 达小丽;夏凯
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 实施例涉及半导体器件封装、用于生产半导体器件封装的方法、以及包括该半导体器件封装的自动聚焦装置。根据实施例的半导体器件封装可以包括:封装主体;扩散部件;以及垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件,其被布置在支撑部件上和扩散部件下面。根据实施例,封装主体可以包括支撑部件、从支撑部件的上表面的边缘区域突出到第一厚度并且具有第一宽度的第一上表面的第一侧壁、以及从第一侧壁的第一上表面突出到第二厚度并且具有第二宽度的第二上表面的第二侧壁,其中支撑部件、第一侧壁和第二侧壁可以用相同的材料一体地形成。扩散部件可以被布置在第一侧壁的第一上表面上,并且可以被布置成由第二侧壁包围。
搜索关键词: 半导体器件封装 上表面 第一侧壁 支撑部件 第二侧壁 扩散部件 封装主体 垂直腔面发射激光器 自动聚焦装置 半导体器件 一体地形成 边缘区域 方法实施 包围 生产
【主权项】:
1.一种半导体器件封装,包括:封装主体,所述封装主体包括支撑件、从所述支撑件的上表面的边缘区域突出到第一厚度并且具有第一宽度的第一上表面的第一侧壁、以及从所述第一侧壁的所述第一上表面突出到第二厚度并且具有第二宽度的第二上表面的第二侧壁,并且所述支撑件、所述第一侧壁和所述第二侧壁由相同材料的一个主体形成;扩散单元,所述扩散单元被布置在所述第一侧壁的第一上表面上并且由所述第二侧壁包围;以及垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件,所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件被布置在所述支撑件上并且被布置在所述扩散单元下面。
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