[发明专利]半导体器件封装以及用于生产该半导体器件封装的方法

权利要求书

1.一种半导体器件封装，包括：

封装主体，所述封装主体包括支撑件、从所述支撑件的上表面的边缘区域突出到第一厚度并且具有第一宽度的第一上表面的第一侧壁、以及从所述第一侧壁的所述第一上表面突出到第二厚度并且具有第二宽度的第二上表面的第二侧壁，并且所述支撑件、所述第一侧壁和所述第二侧壁由相同材料的一个主体形成；

扩散单元，所述扩散单元被布置在所述第一侧壁的第一上表面上并且由所述第二侧壁包围；以及

垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件，所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件被布置在所述支撑件上并且被布置在所述扩散单元下面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述支撑件的外表面、所述第一侧壁的外表面和所述第二侧壁的外表面被设置在一个平面中而没有台阶。

3.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件的厚度小于所述第一侧壁的第一厚度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述扩散单元的厚度等于或小于所述第二侧壁的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体器件封装，还包括：粘合层，所述粘合层被设置在所述扩散单元和所述第二侧壁之间。

6.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述支撑件包括第一支撑件和第二支撑件，所述第一支撑件和所述第二支撑件彼此间隔开并且被电绝缘，并且所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件被布置在所述第一支撑件或者所述第二支撑件上，以及

包括粘合层，所述粘合层被设置在所述第一支撑件和所述第二支撑件之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件封装，包括：金属层，所述金属层被布置在所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件和所述支撑件之间。

8.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述封装主体由金属形成。

9.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，以多个台阶形状来形成所述第二侧壁的内侧表面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述第一侧壁的上表面的宽度等于所述第一侧壁的下表面的宽度。

11.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述第二侧壁被布置在所述第一侧壁的第一拐角区域和与所述第一拐角区域相邻的第二拐角区域之间，并且不被布置在所述第一侧壁的所述第一拐角区域和所述第二拐角区域处，以及

其中，所述扩散单元被布置为面向所述第二侧壁的内侧表面，并且从所述第二侧壁的内侧表面朝向所述第一拐角区域和所述第二拐角区域延伸。

12.根据权利要求1所述的半导体器件封装，包括：凹部，所述凹部被设置在支撑所述扩散单元的所述第一侧壁的第一上表面处。

13.根据权利要求12所述的半导体器件封装，包括：粘合层，所述粘合层被布置在所述凹部和所述扩散单元的下表面之间。

14.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中，所述第二侧壁包括具有第二宽度的第二上表面，以及

其中，所述第二侧壁的下表面被设置为比所述第二宽度宽并且比所述第一侧壁的第一上表面的第一宽度小。

15.一种制造半导体器件封装的方法，包括：

设置金属衬底；

通过处理所述金属衬底来形成多个封装主体，所述多个封装主体中的每个包括支撑件、从所述支撑件的上表面的边缘区域突出到第一厚度并且具有第一宽度的第一上表面的第一侧壁、以及从所述第一侧壁的第一上表面突出到第二厚度并且具有第二宽度的第二上表面的第二侧壁；

在分别由每个封装主体的第一侧壁包围的支撑件的区域上设置垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件；

在由所述第二侧壁包围的区域中设置扩散单元，所述扩散单元由封装主体中的每个的第一侧壁的第一上表面支撑；以及

对所述金属衬底进行划片并且将所述金属衬底分离成多个半导体器件封装，每个半导体器件封装包括所述封装主体、所述垂直腔面发射激光器(VCSEL)半导体器件和所述扩散单元。